Junctionless Coplanar-Gate Oxide-Based Thin-Film Transistors Gated by AluOa Proton Conducting Films on Paper Substrates.pdfVIP

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2017-08-20 发布于湖北
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CHIN．PHYS．LETT．Vo1．31，No．10(2014)108505 JunctionlessCoplanar—GateOxide—Based Thin—Film TransistorsGated by A12O3 Proton ConductingFilmson PaperSubstrates wuGuo—Dong(吴国栋) ，ZHANGJin(张进)，WANXiang(~ ) SchoolofElectronicScienceandEngineering，NanjingUniversity,Nanjing210093 。NingboInstituteofM aterialsTechnologyandEngineering ChineseAcademyofSciences，Ningbo315201 ， (Received26June2014) NanogranularA1203filmsdeposited b_yplasma-enhanced chemicalvapordeposition show a high proton coil ductivit ． 1一一一 ) 一4．．yof 125x 0 S／cm andahugeelectricdoublelayer(EDL capacitanceof 8I~F／cm atroolTl temperature．UsingnanogranularAj203protonconductingfilmsasgatedielectrics，junctionlessindium—zinc- oxide(IZ0)thin．film transistors(TFTs)withacoplanar-gateconfigurationarefabricated．Theuniquefeatureof such unctionlessTFTsisthatthechannelandsource／drMnelectrodesarethesamethinIZ0film withoutany source／drainjunction．DuetothestrongEDLcapacitivecouplingtriggeredbYmobileprotonsinnanogranular A12Oa．theseTFTsshow alow-voltageoperation0f1．5V andahighperformancewithalarge矗eld—effectmobil— ity l8cm ／V．s)，asmallsubthresholdswingrl30mV／decade)andahighcurrenton／o仟ratiof100)．0ur resultsdemonstratethatsuchjunctionlessTFTsgatedbyA1203protonconductingfilmshavegreatpotential applicationsinlow-powerand low-costelectronics． PACS：85．35．一p79．6o．Jv，73．61．JC DOE10．1088／0256—307X／31／10／108505 Field．．effecttransistorsareregarded asthefunda．． Paperisnotonly a cheap and widely used ma- mentalbuildingblocksforapplicationsofmanystate— terial，butalso a naturaland recyclable one． The of-the—artelectronicdevices．tllRecently， junctionless TFTs fabrica