钻铝水滑石纳米片薄膜电极的制备及其电化学性能研究.pdfVIP

钻钔水滑i{纳米片薄膜电极的制备及其电化学性能研究 至塾阵晨橱x胜 ‘北毒他I大学nl斑蟪有姑=载霸凰聿重点簪辘室，屯卓}00{)29 E-mail：地掣电世睦＆蜓edu踊} 近年最、随着常电子器。牛的遵锰发展／、。1列微型r艺潭的需末迅连增加，薄膜电迪薄膜超级 电容器等张型电群曲研宽与开发日曼量副／、们的关／iq重铀!“”．薄鹱超竣电容器既可以独立作为檄 电殍使甩，也可以与薄膜电池组成复台微电鼎糸统．》满罡蹴电子器件在启动、加建瞳其他特殊条 件下的瞬时大功率输出昀要求川．薄壤电掇计翱是薄膜超级电容罂的重耍组成却分，是影响薄膜超 级电睿墨性能和成本的关键引秉日此研咒开发商丝旋 低成车，i膛电饭材料是薄膜超缎电容器研 究开发工怍的重要内客． 丰又以具有电化学活性曲钻健水滑毛fCo．AILDHs)站戎片作为陶建槿块．采用瘩荆蒸发洼在温 和条件下制备出一种高取向，紧盛堆格的Co。AILDHs站老片薄膜电敬并对薄膜组成结构与电化学 性能之1目的关系进_}亍T较系统的研琵． 采用成核，晶化嚼离沽”】制备不同ColAI比例的硝醺根插层co-AILDHs前体，随后将币同CoJAI LDHs纳米片胶傩溶液”J。取一定体积 }|二的Co—AILDHs在甲酰胺中北理舌均得到整清透明的co—Al 的CoAlLDHs纳米片膨体蹯雁滴加到预先处理好的车电玻璃(ITO)袁面．80。C蒸发溶剂后制备出 Co-AI LDHs纳米片薄膜电掘．囤1给出T不同Co／，d比的co—AILDHs薄膜电极的场轰射扫描电镜 fFE—SEM)照片．从图中可以看到不同Co／AI比的薄膜电极均具有离取向紧密堆积的结构特点，且 随着Co／AI比的增加，薄膜电板的表面更加平整、连续，纳米H之问的边界逐渐模糊．形成这种特 璩檄结构的原因是纳米片之间的界面效应。与纳米颢桓相比，纳米片具有更高的比表面积和更多的 表面睬子，纳米片之间酌边一边作用彤成商取向连续的薄膜结构．纳来片之同面一面作用形成紧密 堆积的薄膜结构，并且薄膜与集流体之问也存在较强的结合力，从而可以提高薄膜的结构稳定性． 3：c：4) 凹1不同Co／A1比例前钻铑班，S百纳啦片薄垣卑．娃的FE-SEM照片(a：2；b wilhdifferentCo／AImolarratios I FE．SEM oftheCo—AII．DHsnanosheetthin，filmelecmlde Fig images {a．2h 3．_Ⅱ) 为7考察Co／AI比匍对簿厦皂槛比电容扫倍率特兰的影响，作者在不同电流密度F进行恒电流 亢放电窭验，结采见囤2。从图幸可以看到CorAl比由3的薄鹱电捉具有较高的比电喜。这是固为 薄膜电极中Co为电化学括性物质而Al是非电化学堵性格质．提高A1分量套降低电化学活性物质的 量坟而降低电电客，但A】的存在1姓稳定宽畦吧过程甲的晨板生构，一定量的Al可使Co在充电过 程中被氧化到更高的氧化怒，从而提高电镀反压过程中电子转移数以获俘要高的比电客…男一方 面，随着薄膜电掘中Al台量的提高，薄膜曲电子呈E性下嘻¨而碧率特性降慨，垃Co／AI比为4 的薄膜电极具青较好的悟宰特性。缘上可知，渊变Co*AIiLⅡH盘一定范例内对薄腹电极的电化学 性能进行调控．Co／AIlE为4的茸膜电械比鬯客较高}1具有良好的倍率特性，田此是一种鞍适直的 超级电容器电捱材料。田3给出rCo／A1比为4的薄膜电撅的循王{__寿命数据，从田中可以看到，薄 膜电板具有良好的循环稳定性，经过2000周循环后其容量保持盘在95％吼上 Co-AILDHs纳米片通过造一边作用孝面面作用形成7高瓤自紧密堆穗的薄膜结构，谚薄膜电 极的优复电亿学性娆与其特殊的微观结均密切期芫，站米*具有开放的框龋结构，活-性位亢分暴露， 可烈提高活性物质的利用卑翱咆皂窨．纳术片以面面相盖和边边癌茬的方式构成了连续薄膜，可以