Semimetal NaaBi Thin Film Grown on Double-Layer Graphene by Molecular Beam Epitaxy.pdfVIP

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2017-08-20 发布于湖北
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Semimetal NaaBi Thin Film Grown on Double-Layer Graphene by Molecular Beam Epitaxy.pdf

CHIN．PHYS．LETT．Vo1．31，No．11(2014)116802 Sem imetalNa3BiThin Film Grownon Double-LayerGrapheneby M olecular Beam Epitaxy WENJing(文竞)，GUOHua(郭画)，YANChen—Hui(颜晨晖)-一，WANGZhen—Yu(2E振宇)， CHANGKai(常凯)，DENGPeng(g]~鹏)，ZHANGTeng(张腾)，ZHANGZhi—Dong(张志东) JIShuai—Huaf季帅华 1WANGLi—Li(t~-莉)0，HEKe(何珂)0，MAXu—Cun(马旭村)。， CHENXi(陈曦)，XUEQi—Kun(薛其坤) StateKeyLaboratoryofLow-DimensMnalQuantum Physics，DepartmentofPhysics TsinghuaUniversity,BeOing100084 。ShenyangNationalLaboratory forMaterialsScience，InstituteofMetalResearch， ChineseAcademyofSciences，Shenyang 110016 3InstituteofPhysics，ChineseAcademyofSciences}Beqing100190 fReceived3March2014) Atomically fiatthin filmsoftopologicalsemimetalNa3Biaregrown on double—layergrapheneformedon 6H sic(ooo1)substratesbymolecularbeamepitaxy．Bycombinedtechniquesofmolecularbeamepitaxy,scanning tunnelingmicroscopy andangleresolvedphotoelectronspectroscopy,thegrowth conditionsofrNaaBithinfilms ondouble-layergraphenearesuccessfullyestablished．ThebandstructureofNaaBigrownoilgrapheneismapped along于一YI／andF—K—directions．Furthermore，theenergybandofNa3Biathigherenergyisuncoveredbydoping atomsonthesurface． PACS：68．55．A一．68．37．FA 73．20．At DOI：10．1088／0256—307x／31／11／116802 The discovery of topological materials have isoftheessence． arousedintensiveattentionin recentyears．【JThree— InthisLetter，wereportmolecularbeam epitaxy dimensionalf3D)topologicalinsulators(TIs)suchas (MBE)growthofhigh—qualityNaaBithinfilmson Bi2Seaand Bi2Te3arecharacterizedby abulk en— double—layergrapheneofrmedonthecommercial6H— ergy gap caused by strong spin—orbitcoupling and SIC(00011substratescharacterizedb