嵌埋Ni颗粒的BaTiO3SrTiO3薄膜的相变特性.pdfVIP

第 26卷第 11期 强 激 光 与 粒 子 束 Vo1．26，No．11 2014年 11月 HIGH POW ER LASER AND PARTICLE BEAM S NOV．，2O14 嵌埋 Ni颗粒的BaTiO3／SrTiO3薄膜的相变特性 李 佳 ，赵 妍 ，葛芳芳 ”，张继成 ， 曾 勇 ，房 奇 ，吴卫东 (1．中国工程物理研究院 激光聚变研究 中心 ，四川 绵阳 621900； 2．中国科学院 海洋新材料与应用技术重点实验室 ，浙江 宁波 315201 3．浙江省海洋材料与防护技术重点实验室，浙江 宁波 315201； 4．中国科学院 宁波材料技术与工程研究所，浙江 宁波 315201) 摘 要 ： 采用高温 x射线原位衍射和变温介 电谱对 SrTiO。基底上外延生长 的BaTiOa(嵌埋 Ni颗粒)薄 膜进行了相变特性分析。从X射线衍射和介 电谱的分析结果得出，BaTiO。的相变温度点转变为弥散的温度区 间。在这个弥散的相变温度 区间内，由于基底和薄膜之间的失配 ，以及嵌埋 Ni颗粒 的应力作用 ，薄膜的介电响 应弥散剧烈，并偏离德拜弛豫 。分析 Cole-Cole图获知，BaTiO。薄膜在 四方相转变为立方相的相变过程 中同时 存在几种极化机制，在高温状态下介 电损耗随温度增大而增大。降温过程中，薄膜没有立即恢复四方相，可能 是基底和 Ni颗粒的共同作用影响了相变弛豫。 关键词： BaTi0。薄膜； 纳米金属颗粒； 高温X射线衍射； 介电特性 ； 弥散相变 中图分类号： O484．5 文献标志码 ： A doi：10．11884／HPLPB201426．112005 嵌埋纳米金属颗粒的介质基质薄膜 由于特殊 的性质 ，如高介电常数 、铁电性质及非线性光学性质等，受到 广泛关注 ，应用于非线性光学器件 、微纳电子学等领域 。钛酸钡薄膜是一种典型的铁电材料 ，具有高介 电常数 ， 作为基质嵌埋金属颗粒后 ，其畴结构相应改变，使其物理特性发生变化口。]。 对于 BaTiO。(简称BTO)晶体 ，其块体材料在 5℃时 由斜方相转变为 四方相 ，120。C时转变为立方相 ，为 一 级相变 ，其介电弛豫温度谱在相变点呈现 形状的介电峰_8]。而 BTO外延薄膜受到基底的影响，相变温度 状态和块体差异很大，Li等 ¨1叩利用高温x射线衍射 (HIxRD)对BTO外延薄膜分析发现：a轴和c轴晶格常 数随温度升高而增加 ，直至 500℃之后 ，晶格常数随温度升高而减小 ；800C时，C轴的晶格常数和a轴变为一 致 ，即BTO从四方相转换为立方相 的相变过程为弥散的温度区间。在他们 的研究中，只采用了 HIXRD对 BTO薄膜的相变过程进行了分析 ，没有涉及相变过程 中薄膜 的电学特性变化。在 BTO陶瓷 中掺入金属或其 他复合材料 ，对 BTO 的结构和特性影响很大_1J。随着掺入量的增加 ，介电谱在相变过程 中的弥散度逐渐增 加。这些研究主要针对均匀掺杂的陶瓷 BTO或固溶体结构 ，对 BTO薄膜中嵌埋金属颗粒的介电特性研究很 少涉及。嵌埋的金属颗粒呈周期性，和一般 的分散型的掺杂和固溶体不同，属于低维量子结构 。这种调制结构 材料 的电学性能受到量子效应影响，可能展现一些特殊的性能。 本文给出了SrTiO。(简称 STO)基底上 (001)面外延生长的BTO(嵌埋 Ni)薄膜在升温和降温过程 中的高 温 X射线衍射谱 ，根据计算薄膜在不同温度下C轴的晶格常数，获得相变发展过程。采用介 电变温谱分析 BTO(Ni)／STO薄膜的介电弛豫，获得其从低温的斜方相转变为四方相，到高温的立方相的相变弛豫过程 中的 介电特性 。 l 实 验 BTO(Ni)薄膜采用激光分子束外延 (I一MBE)在 STO(001)基底上生长。生长腔室的背景真空大约为 3× 10～Pa，工作状态下真空为 5×10～ Pa，基底温度为 650C。首先在 STO基底上生长大约 10 1m 的STO／ BT0缓冲层 ；更换为 Ni靶，采用 600脉冲，400mJ(2Hz)的激光进行沉积；再换为BTO靶，以200mJ(1Hz) 进行沉积。其 中BTO每层生长完成后，在 10Pa的氧气气氛中退火 30min以消除氧缺陷。这样重复8个周 期 ，直至生长薄膜厚度大约为300nm j。 采用HI