强磁场作用时间对氧化法制备的Co掺杂ZnO薄膜微观结构和光学性能的影响.pdfVIP

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强磁场作用时间对氧化法制备的Co掺杂ZnO薄膜微观结构和光学性能的影响.pdf

第 50卷 第 12期 金 属 学放 、,o1.50 No.12 2014年 12月 第 1538—1542页 ACTA METALLURGICA SINICA Dec.2014 PP.1538—1542 强磁场作用时间对氧化法制备的Co掺杂ZnO薄膜 微观结构和光学性能的影响 李国建 王 振 王 强 王慧敏 杜娇娇 马永会 赫冀成 (东北大学材料电磁过程研究教育部重点实验室,沈阳 110819) 摘 要 利用FESEM,XRD和紫外可见分光光度计研究了强磁场作用时间对真空蒸发氧化法制备的co掺杂ZnO薄膜微 观结构和光学性能的影响.结果表明:强磁场抑制了ZnO珊瑚枝状形貌的生长,氧化60min时,无磁场下生长成球状颗粒, 而6T磁场下则生长成片状组织.强磁场作用时间的增加会使薄膜的择优生长从 (101)变成(002);影响磁性Co原子在ZnO 中的分布:薄膜的禁带宽度降低到2.95—3.13eV的范围内.另外,无磁场时氧化时间的增加会降低薄膜的透光率,而强磁场 下氧化时间的增加会提高透光率.这些研究结果为ZnO薄膜表面形貌、择优生长、磁性原子分布、透光率和禁带宽度等微观 结构和光学性能的调控提供 了一种新方法 . 关键词 ZnO薄膜,zn氧化,透光率,强磁场,真空蒸发 中图法分类号 TB303 文献标识码 A 文章编号 0412.1961(2014)12—1538.05 EFFECToFoXID TIoN TIM EUNDERHIGH MAG. NETICFIELD oN THEM ICRoSTRUCTUREAND oPTICALPRoPERTIESoFoXIDIZED Co.DOPED ZnO FILM S L1Guojian.WANGZhen.WANGQiang,WANGHuimin.DUJ{(1ojiao.MAYonghui,HEJicheng KeyLaboratoryofElectromagneticProcessingofMaterials(MinistryofEducation),NortheastemUniversity, Shenyang110819 Correspondent.WANGQiang,professor,Te1.(o2E-mail:wangq@mail.neu.edu.cn SupportedbyNationalNaturalScienceFoundationofChina(No.5110103 ,FundamentalRe— searchFundsfortheCentralUniversities (Nos.NN120609001and N Manuscriptreceived2014—07—09,inrevisedform 2014—09—03 ABSTRACTTheeffectsoftheoxidationtimeunderhighmangeticfieldonthemicrostructureandopticalprop— ertiesofoxidizedCo—dopedZnpreparedbyvacuum evaporationwerestudiedbyFESEM ,XRD andultravioletvis— iblespecrtophotometer.Theresultsshow thatthegrowthofcoraldendriticstructuresofZnO filmsisinhibitedby highmang eticfield.SphericalparticlesofZnO film oxidizedfor60minwithoutmang eticfieldrtansformstoleaf likemorphologieswiththeapplicationofa6Tmagneticfield

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