柔性高储能P（VDF-CTFE）PA11-g-GMA聚合膜的制备与性能研究.pdfVIP

第 1O期 高 分 子 学 报 No．10 2014年 10月 ACTA POLYMERICA SINICA Oct．．2014 柔性高储能 P(VDF-CTFE)／PAll-g-GMA 聚合膜的制备与性能研究 邓素芬 吴晓彦 何立敏 熊传溪 董丽杰 (武汉理工大学材料科学与工程学院 武汉 430070) 摘 要 采用反应增容及等温拉伸技术制备 了柔性高储能 P(VDF—CTFE)／PAl1一g-GMA聚合物薄膜 ．通过 XRD、SEM 以及 电性能测试分析 了聚合物薄膜 的微观结构与介 电性能．结果表 明，经 GMA接枝改性后 的 P(VDF．CTFE)／PAl1一g—GMA聚合物薄膜两相相容性增加；经外力拉伸后 ，P(VDF-CTFE)／PAl1·g·GMA 的分 子链在外力作用下被强制解缠，极性基团在外场作用下取 向程度增大 ，增加了结晶结构 中卢相 的含量 ，有效提 高了 s—P(VDF—CTFE)／PAl1。g．GMA聚合膜的介电性能和储能密度 ；同时，由于外力协同分子链的运动，聚合 物链段运动能力也增大，经过增容改性的聚合物薄膜介 电损耗下降．因此制备 了一类高储能、低损耗的柔性聚 合物薄膜 ，耐压强度达到 275MV／m，储能密度可达 8．09J／cm ，为轻质、柔性、小型功能器件 的发展奠定了 基础． 关键词 P(VDF—CTFE)，PAl1一g—GMA，聚合物薄膜 ，储能材料 随着现代科技对功能器件小型化 、轻量化 的 (PVDF／BaTiO )／PVDF交 替多层 介 电复合 材 迫切需要 ，具有高储能密度的柔性薄膜材料 已成 料 ，随着 BaTiO 含量 的增加 ，体系的结晶度逐 为研究者们关注 的焦点 ¨ ．根据经典 电磁学理 渐减低 ，介电常数先增大后减小；Xia等 ¨通过 论可知，提高相对介 电常数和耐压强度是提高 电 KH550对 BaSrTiO 进 行 表 面 改 性 ，制 备 了 介质材料储能密度的关键 因素 ．介 电陶瓷材料 BaSrTiO ／P(VDF—CTFE)复合材料 ，耐压 强度为 具有很高的介电常数和耐击穿强度 ，目前仍然是 250MV／m时储能密度达 6．5J／cm ．聚合物基复 储能材料的主导产品，如 Ogihara等 报道的0．7 合材料提高了材料 的介电性能和成膜能力 ，但复 钛酸钡 (BaTiO)-0．3钪酸铋 (BiScO )介 电陶瓷 合体系中功能相和基体间的界面结合很差 ，即使 材料，在 73kV／mm 电场 下，其储 能密度为 6．1 采用界面偶联技术也无法提高复合材料的耐压强 J／cm’；Dong等 在钛酸锶钡 (Ba Sr0_7TiO3)中 度 ，因此难 以制备具有高储能密度 的柔性薄膜材 掺杂ZnO，当掺杂量达 1．6wt％时，其介电常数 料．高分子材料易于成膜、致密度高、柔韧性好 ，一 和击穿场强增大 ，介 电损耗降低 ，储能密度为3．9 直是柔性电子器件 的理想材料 ，但 聚合物材料介 J／cm ．陶瓷介 电材料 由于其密度大 、质脆 、成膜 电性能普遍不高 ，因此 目前在功能器件上还没有 困难 ，在新型轻质 电子器件的应用 中受到了极大 得到大规模的发展．Zhang等 系统调控了含氟 地限制．聚合物基介 电复合材料 自20世纪 80年 聚合物的嵌段 比例以及结晶性能，得到 了介 电常 代 以来取得了长足的发展，其介 电常数可以通过 数、储能密度和击穿强度优异 的铁性聚合物材料 ， 组分配 比调谐 ，柔性好 ，易制成不 同厚度的薄膜 ， 刘金刚等 采用两步缩聚法制备 的含氟 聚酰亚 为功能器件的发展奠定 了基础 ．以导电聚苯胺 胺 ，击穿强度可达 150．4～19