氢气稀释比例对多晶硅薄膜微观结构和沉积特性的影响.pdfVIP

第34卷 第3期 核 聚 变 与 等 离 子 体 物 理 、，01．34．No．3 2014年 9月 NuclearFusionandPlasmaPhysics Sep．2014 文章编号：0254--6086(2014)03-0275-07 氢气稀释比例对多晶硅薄膜微观结构 和沉积特性的影响 宋莎莎，左 潇，魏 钰，陈龙威，舒兴胜 (中国科学院等离子体物理研究所，合肥 230031) 摘 要 ：利用电感耦合等离子体增强化学气相沉积法(ICP．PECVD)直接在普通玻璃衬底上低温沉积多晶硅薄 膜，主要研究了不同氢气稀释比例对薄膜沉积特性和微观结构的影响。采用x射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪和 扫描电子显微镜(SEM)表征了在不同氢气比例条件下所制备多晶硅薄膜的微结构、形貌，并对不同条件下样品的 沉积速率进行了分析。实验结果表明：随着混合气体中硅烷比例的增加，薄膜的沉积速率不断增DII；晶化率先增 加，后减小；当硅烷含量为4．8％时，晶化率达到最大值67．3％0XRD和 SEM结果显示多晶硅薄膜在普通玻璃衬 底上呈柱状生长，且晶粒排列整齐、致密，这种结构可提高载流子的纵向迁移率 ，有利于制备高效多晶硅薄膜太 阳能电池。 关键词：电感耦合等离子体；等离子体增强化学气相沉积；多晶硅薄膜；氢气比例 中图分类号：0539 文献标识码：A 1 引言 较小，均匀性较差 l【】。直接法主要有热丝化学气相 太阳能电池是利用光伏效应将太阳能转化成 沉积法和等离子体增强化学气相沉积法。热丝法由 电能的一种器件。为了解决体硅太阳能电池高成本 于局部温度较高、均匀性较差、热丝易脆化等，很 的问题，开发低原料消耗的硅基薄膜太阳能电池成 难大面积应用。等离子体增强化学气相沉积法被广 为这一领域研究的重要方向。硅基薄膜电池主要有 泛应用于多晶硅薄膜的沉积，常用于化学气相沉积 非晶硅、单晶硅和多晶硅薄膜电池。而非晶硅薄膜 的等离子体源有电容耦合等离子体源(CCP)、电感 电池性能不稳定，寿命较短；单晶硅薄膜电池制备 耦合等离子体源(tcP)、电子回旋共振等离子体源 成本高昂，很难在民用中推广。多晶硅薄膜电池兼 (ECR)等。ICP源具有其独特的优势，主要表现在： 具两者之长，与单晶硅薄膜 电池相比，其电池材料 (11与ECR源相比，ICP源不需要微波电源和外加 制备成本较低，可大面积生产；与非晶硅薄膜电池 磁场，装置结构简单3【】，成本较低；(2)与CCP源 相比，其电池转化效率较高，稳定性好，且不发生 相比，其等离子体密度较高(在 10mTorr时 ～ 光致衰退效应。多晶硅薄膜的制备方法分为间接法 10cm-0)t41，对气源的分解具有促进作用，进而提 和直接法。间接法包括固相晶化法、金属诱导横向 高薄膜沉积速率；(3)等离子体电位、电子温度较 晶化法、激光晶化法。固相晶化法退火温度较高， 低，可在低温条件下沉积多晶硅薄膜；(4)ICP等离 不适合廉价的玻璃衬底[1]，金属诱导法制备的多晶 子体源在实现大面积上已经取得了一定进展，Kim 等实现了1020x830mm 内置电感耦合等离子体L5J。 硅薄膜中会含有金属杂质，激光晶化法可以降低硅 薄膜的结晶温度[，但生成的多晶硅薄膜晶粒尺寸 鉴于多晶硅薄膜优异的光电性能与较低的制备成 收稿 日期：2Ol3-09 7；修订 日期 ：20l4_04_02 作者简介：宋莎莎(1986-)，女，陕西