氢稀释对nc-SiH薄膜结构和光致发光的影响.pdfVIP

材料与结构 MaterialsandStructures 氢稀释对 nc—Si：H薄膜结构和光致发光的影响 张一轲，郝惠莲，吴兆坤，于潇洋 (上海工程技术大学 材料工程学院，上海 201600) 摘要 ：基于X射线衍射仪 、喇曼散射、光致发光 (PL)和傅里叶红外吸收光谱等技术 ，详细研究 了氢稀释比对纳米晶硅 (nc—Si：H)薄膜结构和光致发光性能的影响。随着氢稀释比的增加，所 沉积薄膜的纳米晶硅尺寸单调减小，而晶化率提高。键合结构分析表 明，随着氢稀释 比增加， nc—Si：H薄膜中氢含量和 si—H键密度均减小。综合在不同氢稀释 比下纳米晶硅尺寸变化、PI 峰位移动及 PL峰强度变化等特征 ，nc—Si：H 室温 PL光谱被 归因于纳米晶硅 的量子限制效应 。 当氢稀释比由96 增大至 97 时，氢的钝化作用使 PL峰强度升高；当进一步增加氢稀释比至 98．5 时，由于 H 的生成，使氢的钝化效果显著降低 ，导致PL峰强度降低。 关键词 ：氢化纳米晶硅薄膜；氢稀释比；微观结构；光致发光 (PL)；晶化率；量子限制效应 中图分类号：0472．3；0482．31 文献标识码：A 文章编号 ：1671—4776 (2014)11—0717-07 EffectoftheHydrogenDilutionontheFilm Structureand Photoluminescenceofnc-Si：H ThinFilms ZhangYike，HaoHuilian，W uZhaokun，YuXiaoyang (SchoolofMaterialsEngineering，ShanghaiUniversityofEngineeringScience，Shanghai201600，China) Abstract：X—raydiffractometer，Ramanscattering，photoluminescence(PL)andFouriertrans— form infraredspectroscopy (FTIR)techniqueswereemployedtostudytheinfluenceofthehydro— gendilutionratioonthefilm structureandphotoluminescenceofnc—Si：H thinfilms．With the increaseofthehydrogen dilution ratio，thegrain sizeofthedeposited filmsdecreaseswhilethe crvstallizationrateincreases．Theanalysisofthebondingnc—Si：H thin filmsstructureshows thatboththehydrogencontentandSi— H bonddensitiesinthenC—Si：H thinfilmsdecreasewith theincreaseofthehydrogendilutionratio．Onthebasisofthene—Si：H grainsizevariation，PI peak positionshift。PL peakintensityvariation andotherfeaturesatdifferenthydrogen dilution ratios，thePL ofnc—Si：H thinfilmsatroom temperatureisattributedtothequantum confine— menteffect(QCE)ofDE—Si：H．Whenincreasingthehydrogendilutionratiofrom 96 tO97 ， thePLpeakintensityincreasesduetOthepassivationofH ：furtherincreasi