氮化时间对脉冲激光沉积AIN薄膜性能的影响.pdfVIP

半导体制造技术 SemiconductorManufacturingTechnologies DOI：10．13290／j．cnki．bdtjs．2014．11．008 氮化时间对脉冲激光沉积 AIN薄膜性能的影响 刘作莲 ，王海燕 ，杨为家 ，王文棵 ，李国强 (华南理工大学 a．材料科学与工程学院；b．发光材料与器件国家重点实验室，广州 510640) 摘要 ：应用脉冲激光沉积 (PLD)技术在氮化处理后 的蓝宝石衬底上外延生长 A1N薄膜。 研究了氮化处理时间对 A1N薄膜结构性能和表面形貌的影响，利用原位反射式高能电子衍射 (RHEED)对生长过程进行实时观测，利用高分辨 x射线衍射仪 (HRXRD)和扫描 电子显微镜 (SEM)对 A1N薄膜的结构性能以及表面形貌等进行表征和分析。结果表 明，随着氮化时间的增 加，A1N形核种子数量增加并逐渐有序 ，促进A1N薄膜 由多晶转为单晶并提高其晶体质量，有利 于A1N薄膜由三维生长转为二维生长，改善 A1N薄膜表面形貌。为采用PLD技术制备高质量 A1N基器件提供 了一种新思路 。 关键词 ：A1N薄膜 ；脉冲激光沉积 (PLD)；氮化时间；高分辨 x射线衍射 (HRXRD)；扫 描 电子显微镜 (SEM) 中图分类号：TN304．2 文献标识码 ：A 文章编号：1003—353X (2014)11—0836—05 EffectoftheNitridationDuration onthePropertiesofAIN Thin FilmsGrownbyPulsedLaserDeposition LiuZuolian，WangHaiyan，YangWeijia，WangWenliang，LiGuoqiang (a．SchoolofMaterialScienceandEngineering；b．StateKeyLaboratoryofLuminescent MaterialsandDevices，SouthChinaUniversityofTechnology，GuangzhOU510640，China) Abstract：TheA1N thinfilmsweregrownonthenitridedsapphiresubstratesbypulsedlaserdeposi— tion (PLD)andtheeffectsofnitridationdurationonthestructuralpropertiesandthesurfacemorpholo— giesofA1N filmswere investigated．In situ observation ofreflection high—energy electron diffraction (RHEED)wasusedtoobversetheepitaxialcourseinrealtime．HighresolutionX-raydiffraction (HRXRD)andscanningelectronmicroscopy(SEM)wereusedtocharacterizeandanalyzethestructural propertiesandsurfacemorphologiesofas-grownA1N thinfilms，respectively．Theresuhsshow thatthe expendingofnitridationdurationenhancesthecoherenceofnucleationandacceleratestheA1N epitaxial growthmodetransferringfrom three．dimensional(3D)modeintotwo-dimensional(2D)mode，and improvesthecrystallinequalityandthesurfacemorphologyofA1N thinfilmsuhimately．Thisprovidesa new directionforthefabricationofA1N—base