立方氮化硼薄膜的制备及研究.pdfVIP

真 空 科 学 与 技 术 学 报 第34卷 第9期 CHINESEJ0IJRNAI．OF、rACUUM sCIENCEANDTEC蛐 0IoGY 2014年 9月 立方氮化硼薄膜的制备及研究 王明娥 马国佳 ， 董 闯 (1．大连理工大学材料科学与工程学院 大连 116024； 2．北京航空制造工程研究所高能束流加工技术重点实验室 北京 1013024) SynthesisandCharacterizationofCubicBoronNitrideThinFilms WangMing’eH ． MaGuojia1,2,DongChuang (1．SchoolofMaterialandD n。 ，DalianUniversityofTechnology，Dalian116024，Ch／na；2．Nato／nalKeyLaboratoryofScience andTcehnoolyg OnPowerBeamProcesses，BeijingAeronauticalManufacturingTechnoolygResearchInstitute，Beijing 100024，Ch／na) Abstract Thecubicboronnitride(c—BN)thinfilmsweresynthesizedbyreactiveRFmagnetronsputteringontheSi sub stratepre—coated thsputteredB—C—N ternaryinterlayer．Theimpactsofthedepositionvariables．includinghteB—C—N interlayer，sputteringpower，andpressure，onthestressdistributionoftheC—BN filmswereinvestigated．Themicmstruc— turesandmechnaicalpropertiesoftllec—BNfilmswerecharacterizedwihtX-myphotoelectronspectroscopy( )，Fourier tramofrm infraredspectroscopy，atomicforcemicroscopy，nadconventionalmechnaicalprobes．Th eresuhsshowhtattheB— C—N interlayerconsiderablydecreasedtheintemalstressinc·BNfilms．possiblybecausethecontentsgradientnadofrma— tionofhybridbondsathteinterlayermayreleasesomestress．Underhteoptimizedconditions，htestbalec-BN film，witIla nano-hardnessupto42GPanadahticknessof1．8tan，wasdeposited． Keywords CubicBN film，B．C．N interlayer，Stress，XPS 摘要 通过工艺对 比，考察了过渡层在降低立方氮化硼薄膜内应力方面的作用，并研究了薄膜的力学性能。结果表明 B-C．N三元过渡层的添加有效地降低了薄膜内应力。x射线光电子能谱结果显示在 B．C．N三元过渡层 内形成了成分 的逐渐 变化 ，同时各元素间杂化成键。过渡层的添加使得在硅片基底上成功制备了性能稳定的立方氮化硼厚膜。 关键词 立方氮化硼薄膜 B．C．N过渡层 应力 x射线光电子能谱 中图分类号：0539 文献标识码：A doi：10．LSSrZZ／j．cnki．cjovst．2ol4．09．13 立方氮化硼(c—BN)与金刚石类似，是集众多优 氮化硼形核和生长的条件。这种荷能离子的轰击将 异性能于一身的超硬材料。这些性能，如高硬度、宽