采用射频等离子体增强化学气相沉积合成碳纳米管与其场发射特性的研究.pdfVIP

第八届中国纳米科技西安研讨会论文集 基础篇 采用射频等离子体增强化学气相沉积合成碳纳米管 及其场发射特性的研究 刘永相1，刘君华1，朱长纯2 (1)西安交通大学电气工程学院 (2)西安交通大学电子与信息工程学院 摘要：以玻璃为基底，采用射频等离子体增强热化学气相沉积法合成了碳纳米管。在450‘C、在氮 1．0urn，TEM结果显示符合常见的碳纳米管参数。经比较，较低的等离子体功率比高的射频等离子 体功率能更好地合成碳纳米管。碳纳米管的场效应测试结果为，在发射电流密度为IuA／cm2时，发 射开启场强为1．17Wum。 关键字：碳纳米管，射频等离子体，场发射，功率 1．引言 碳纳米管n3是一种在科学应用中很有前景的材料，它卓越的力学性能口1、高载流能力 口】、场发射性能H1已在相关领域开辟了广阔的应用，如场发射装置瞄1、超级电容器№1、传 感器盯3和电池电极陋]。1991年，日本的Sumio Iijima在电镜中观察到了采用电弧放电方 法合成的碳纳米管。除此之外，合成碳纳米管的方法还有激光烧蚀阳1、热解烃u训、化学 气相沉积法(cvo)…1和射频等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)n纠等。 要在普通玻璃基底上制备实用高分辨率场发射显示器，合成碳纳米管的温度必须要 低于普通玻璃的变形温度(511℃)。一般说来，使用化学气相沉积法合成碳纳米管通 常需要相对较高的温度。最近，Ren小组n卵采用乙炔为碳源，在666℃的温度条件下， 以不锈钢为催化剂在乙炔／氮的混合气体，在碳纤维的表面制备了碳纳米管。由此可见， 温度是碳纳米管的合成中的一个关键因素。 本文报道利用等离子体增强化学气相沉积法在玻璃表面生成碳纳米管。利用射频等 离子体增强化学气相沉积方法，在450℃低温条件下，可在玻璃基底上合成碳纳米管。 同时还讨论了射频等离子体功率和碳纳米管薄膜形态之间的关系。制备出来的碳纳米管 有可能被用来作为高比表面积电极的电化学应用，如燃料电池、传感器和场发射器件。 笔者相信本方法可以推动以玻璃为密封材料的场发射显示器的制造进展。 2．实验步骤 首先，利用超声波清洗机，在丙酮和酒精溶液中清洗裁剪好的玻璃，超声清洗的时 间是30分钟。然后在干燥箱中以85℃的温度保温30min以消除玻璃表面吸附的水分子。 V的 接下来是在13Pa氩气气压下，利用磁控放电清洗表面的有机物，清洗时施加300 为保护气体，靶材到衬底的距离为7cm，沉积时间为15min。制备好的镍催化剂膜的厚 度是15nm。 催化剂薄膜制备好后，使用等离子体增强化学气相沉积法来合成碳纳米管。整个生 长过程分为催化剂的预处理、碳纳米管制备两个步骤。催化剂的预处理是在氮气气氛中， 第^厢中国纳米科技日安W讨会论卫集 基础≈ 以5℃／mi n的速度增加温度，将村底加热到450℃，并保持30min，这样就可以使薄 流速对衬底进行射频等离子体处理。混合气体的压力保持在160Pa，射频功率是2400W， 在此条件下，射频等离子体增强化学气相沉积持续60m·n，保持压力在180Pa。为了探 索射频功率对碳纳米管的生长的影响，又采用1500W和600Ⅵ／的射频功率来生长碳纳米 管，其辉光电流分别为54uA和34uA。碳纳米管沉积完成后，反应腔室在氮气中冷却 180min至室温。 采用了SEM和TEM来分析碳纳米管膜的表面形态，采用了场发射设各测试了碳纳米 管薄膜的场发射性能。 3．结果和讨论 至60nm)的催化剂孤岛，这些镍催化剂孤岛将非常有助于碳纳米管的形成。 600W舸颤寺禺千仟CVD法制备的嵌垌米曾的(町低分辨翠幽像午¨(b)局丹辨车吲像 Fi92 ～般说来，用射频等离子体增强化学气相沉积法来制各碳纳米管是相对容易的。但 是。射频等离子体功率在碳纳米管的增长中的作用还没有弄明白。图3是等离子体增强