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2017-08-20 发布于安徽
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(SiC)P表面低成本化学改性的研究宿辉1王桂芳2 栾风虎 1.黑龙江工程学院 1500502.哈尔滨工程大学 150001 摘要：为解决裸(SiC)p在应用中存在的不足，本文作者提出(SiC)p表面低成本化学改性的思路。采用简单的化学镀技术，改进氧化、亲水、敏化和活化的前处理工艺，对(SiC)p进行表面化学改性。确定了最佳的实验工艺，获得了镀层连续，无光滑(SiC)p裸露的较高质量的碳化硅复合粉体[简写为(Ni/SiC)P]，通过SEM，EDS，XRD，TEM等测试结果表明，改性后的(Ni/SiC)p较改性前的(SiC)p导电性提高，形貌、组成发生改变。同时分析了热处理对(Ni/SiC)p的影响，结果表明，随着温度的升高，(Ni/SiC)p表面改性层中的镍由非晶态转化为晶态。关键词：(SiC)p；表面改性；化学镀；热处理 (j (b) ，(c)己生前、后的(SiC)，的E 改性前、后的(SiC)，的） …’一’～p‘‘，，1一，．’J1L7 了较高质量的改性，热处理，400C热处j 扣的化合物结晶性j