硅漂移探测器(SDD)及其在空间探测中的潜在应用.pdfVIP

2009年8月27．30日 中国空间科学学会第七次学术年会 堑皇奎垄 硅漂移探测器(SDD) 及其在空间探测中的潜在应用 谭继廉靳根明 (中国科学院近代物理研究所兰州 730000) 摘要硅漂移探测器(SDD)是一种新型的、独具优势的核辐射探测器。采用平面工 艺技术，通过在硅片两表面制造特殊结构的电极，在适当的偏压下，使硅片体处于全耗 尽状态，并形成一个平行于上下两表面、均匀的强电场。当带电粒子或光子穿过该耗尽 层时，会损失能量并产生电子．空穴对，其中空穴被附近的电极吸收，而电子则被电场 强迫向硅片的一端漂移，有效的收集这些电子，就可获得入射粒子较精确的相关信息(能 量、位置、时间等)。根据硅漂移探测器的结构特点和应用领域，大体上可分为两大类： 1主要用于酬线能谱分析这类硅漂移探测器的(电场)电极多呈圆环形或多边形结 构，收集极(阳极)位于探测器中央，不管探测器灵敏面积多大，其阳极面积都非常小， 这样，阳极电容也非常小，减小了串联噪声分量，降低了整个电子学噪声，并使最佳成 形时间变快。加之，硅漂移探测器中的电子漂移时间与位置有关，当多个光子(或带电 粒子)同时入射时，硅漂移室能够加以分辨，从而获得特别高的计数率(可达1Meps)， 5．9KeVX． 探测器的能量分辨好，一个50n蚰2的SDD的能量分辨达到143eV(对Fe 射线)并且工作温度较高，通常在--60℃～--20℃，有的特殊情况下甚至工作在室温， 于位置(时间)测量这类硅漂移探测器多用矩形或正方形的硅片制造，(Eg场)电极都 为相互平行的条状，分别制作在硅片的上下两个表面，当各电极加上适当的电压后，就 会在硅片内部形成一个平行于上下两表面并指向硅片一端的电场，在这里有由多个阳极 组成的收集极，这样就构成了两维位置灵敏探测器。 硅漂移探测器在空间探测中的潜在应用硅漂移探测器应用范围很广，在核科学应用方 面，有高能物理、核物理及同步辐射；在核技术应用方面，例如，微量分析、X一射线 荧光分析、X一射线衍射、医学成像和空间探测等。20世纪60年代以来，X射线天文 学已经从简单的X射线源观测转向X射线光谱学的精细研究。半导体探测器的最大优 点是能量分辨好，因此，凡是涉及到x射线能谱测量都用半导体探测器，常用的有Si(Li) 探测器和SiPIN探测器。如果我们想得到月球的土壤、岩石的成分，可以采用X射线 荧光分析技术。因月球空间无大气，处于真空状态，因此，可将半导体探测器X射线 谱仪装在绕月飞行的卫星上，利用太阳X射线或和宇宙X射线入射到月球表面产生的 X射线荧光来分析月球所含的镁、铝、硅等主要元素，在强太阳活动情况下，还可能得 到钙、铁、钛的含量。但对于火星，因为有大气，其成分的分析要困难的多，必须要将 半导体探测器X射线谱仪送到火星表面。如前所述，由于SDD具有诸多独特优点，凡 是涉及天体有关X射线能谱测量、荧光分析等测量，都可以用SDD来取代Si(Li)探测 器和SiPIN探测器，会大大的提高测量精度，从而提高科学实验、分析水平，进一步 促进X射线天文学的发展。