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少子寿命在单晶硅太阳能电池生产中的变化研究 刘金虎，刘邦武，夏洋，沈泽南，张祥，何静，宁婕妤 （中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室，北京 100029） 摘要：非平衡少数载流子的平均生存时间称为非平衡少数载流子的寿命，简称少子寿命。作为评价硅片质 量和太阳能电池生产工艺优劣的一个重要手段，少子寿命的地位越来越重要。所以本文主要研究少子寿命 在单晶硅太阳能电池生产中的变化和相应变化所产生的原因。影响和改善少子寿命的主要因素包括：硅片 质量，制绒去损，磷铝吸杂，PECVD钝化，热退火等。 关键字：少子寿命，制绒去损，磷铝吸杂，PECVD 钝化，热退火 ThestudyofchangesoftheMinoritycarrierlifetime intheproductionof monocrystallinesiliconsolarcell Liujinhu;Liubangwu; Xiayang; Shenzenan;Zhangxiang; Hejing; Ningjieyu (KeyLaboratoryofMicroelectronicsDevicesandIntegratedTechnology,Institute ofMicroelectronics, ChineseAcademyofSciences,Beijing100029,China) Abstract: Abstract: AAbbssttrraacctt:: Non-equilibrium minority carriers average survival time is called non-equilibrium minority carriers lifetime, for short minority carriers lifetime. As one of the important means, minority carriers lifetime is taking important part in the production of the crystalline silicon. Minority carriers life can detect the quality of the wafer and the production process. This paper mainly studies the significance and variation of minority carriers lifetime, the paper also analyse the reason for variation of minority carriers lifetime. Through the analysis of experimental results, summarized the main factors that affect and improve minority carriers lifetime. The main factors is the quality of thewafer, theeffect oftexturing, aluminium andphosphorusgettering,the passivation ofPECVD andthe thermalannealing. Key words Key words KKeeyy wwoorrddss: the minority carriers lifetime; texturing; aluminium and phosphorus gettering; the passivation of PECVD;thermal annealing 0. 0. 00.. 前言： 光生电子和空穴从一开始在半导体中产生直到消失的时间称为寿命。当载流子连续产生时，在太阳能 电池中，寿命的值决定了电子和空穴的稳定数量。处于热平衡状态下的半导体，在一定温度下，载流子的 浓度是一定的，称为平衡载流子浓度，如果对半导体施加外界作用，破坏了热平衡的条件，这种状态被称 为非平衡状态。比平衡状态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子，非平衡载流子分为非平衡多数载流 子和非平衡少数载流子，产生非平衡载流子的外界作用撤除以后，它们要逐渐衰减以致消失，最后载流子