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维普资讯 第37卷 第3期 人 工 晶 体 学 报 V01．37 No．3 2008年 6月 JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS June，2008 近红外半导体材料 HglnTe的缺陷腐蚀 董阳春 ，王领航，介万奇 (西北工业大学凝固技术国家重点实验室 ，西安 710072) 摘要 ：研究了HglnTe的腐蚀工艺，探索出一种适合于HglnTe的腐蚀液，并对腐蚀原理做了分析。利用该腐蚀液对 HgInTe晶体内部的缺陷种类和分布进行了研究。结果表明，垂直轴 向切割的HgInTe晶片腐蚀后的位错蚀坑呈近 等腰三角形。在本实验条件下 ，位错蚀坑密度EPD(etch—pitdensity)约在 10／cm 数量级。HglnTe晶体中的位错墙 主要以边重叠和角重叠两种方式排列而成。HglnTe中存在少量由内应力引起的微裂纹。该腐蚀液能有效地显示 HglnTe晶体不同晶面的多种缺陷，腐蚀效果较好。 关键词 ：碲铟汞 ；缺陷；腐蚀坑 ；半导体材料 中图分类号：077 文献标识码 ：A 文章编号：1000-985X(2008)03-06274)4 DefectEtchingofNear-infraredSemiconductorHgInTe DONGy 一chun，WANG西 一hang，JIEWan—qi (TheStateKeyLaboratoryofSolidificationProcessing，NorthwesternPolytechnicalUniversity，Xikn710072，China) (Received10September2007，accepted8October2007) Abstract：ThedefectetchingtechniqueofHgInTewasinvestigated and anew etchantforHgInTewas obtained．Theetchingmechanism wastheoreticallyanalyzed．Th edefectsandtheirdistributioninHgInTe wererevealedfrom theetchingpatterns．Theexperimentalresultsshow thattheetch—pitshapeofHgInTe waferperpendiculartoaxialdirectionissimilartoisoscelestriangle．Theetch—pitdensity(EPD)isinthe orderof10’／cm ．Thedislocation wallofHgInTewascomprisedin thewaysofsideoverlap and angle overlap．Th ereexistsomemicrocracksinHgInTeresultingfrom residualstress． Keywords：HgInTe；defect；etch pits；semiconductormaterial 1 引 言 直接跃迁窄禁带化合物碲铟汞 (Hg(地)InTe)是一种新型的用于近红外光电探测的含HgII—VI／III—VI 族半导体材料。当 =0．5时，HgInTe禁带宽度约为 0．73eV…。与其它近红外探测器材料相比，HgInTe的 使用温度范围很宽且温度稳定性好，本征载流子浓度低，迁移率高，响应时间短，是高性能的近红外光电探测 器材料 。 众所周知，缺陷是半导体材料光电性能的主要影响因素之一。晶体缺陷的表征对于晶体生长工