用于GaInPGaAs双结迭层太阳电池的MOVPE外延材料.pdfVIP

第27卷第5期 太阳能学报 V01．27．№．5 2006年5月 A(xAENERGIAESOI。ARIsSIMCA May，2006 用于GaInP／GaAs双结叠层 太阳电池的MOVPE外延材料 黄子乾1，李 肖2，潘 彬2，张 岚2 (1．南京大学物理系，南京210016；2．南京电子器件研究所，南京210016) 摘要：采用金属有机化合物气相淀积(M0Ⅵ，E)技术生长用于GaIr酬GaAs双结叠层太阳电池的外延材料。针对 材料生长中的隧穿结、p．AⅡnP层等关键问题，通过对掺杂剂、生长技术及条件的调整与改进，极大地提高了GaInP／ 叭s双结叠层太阳电池性能，最高转换效率达到23．8％(AM0，25℃)。 关键词：金属有机化合物气相淀积；刚GaAs双结叠层太阳电池；隧穿结；掺杂技术 中图分类号：7册14 文献标识码：A 0 引 言 近年来，由于金+属有机化合物气相淀积 (MOvPE)技术的发展，高效太阳电池在航天领域得 到广泛应用。鉴于单结电池只能将太阳光谱中一定 GaInP／GaAs双结叠层太阳电池的结构示意图。采用 能量的光能有效地转换成电能，因此为提高对太阳 电化学c—V法测试材料的掺杂浓度。 光的利用效率，将具有不同禁带宽度的半导体材料 叠加起来，分别吸收利用不同波长范围的入射光，由 2结果与讨论 此产生了双结、三结等多结叠层电池。目前GaInP／ 2．1隧穿结生长 GaAs双结叠层太阳电池的光转换效率已达到 当顶、底电池通过隧穿结(TJ)的连接构成双结 25．7％(AMO)…。然而在多结叠层太阳电池的研制 叠层太阳电池时，隧穿结特性是影响电池性能的重 中，材料的生长是其中的关键和难点。就GaIllP／ 要因素之一。通常引入隧穿峰值电流的概念来描述 GaA与双结太阳电池的研究而言，超薄高掺n“一其特性。显然，子电池间的隧穿结应是超薄高掺的 GaAs／p”．GaAs隧穿结和p+一mInP窗口层的生长对 “零压降”欧姆连接：①P／N结两双侧掺杂浓度足够 太阳电池的性能产生很大影响。 高，使半导体材料进入简并状态。一般地，其掺杂浓 本文利用MOVPE技术，生长了G出P／GaAs双结 度达到1019cm～；②P／N结界面杂质浓度分布应尽可 叠层电池的外延材料。其中，着重对隧穿结和A1hlP 能陡峭，以避免杂质相互扩散引起杂质补偿；③隧穿 窗口层的生长进行了研究与分析。 结P区和N区的厚度应尽可能的薄(小于15m)。 为获得尽可能高的隧穿峰值电流，隧穿结材料的选 1实验 择、掺杂源的选择、掺杂浓度及材料生长工艺等都是 采用mMOVPE技术进行材料的外延生长，衬 必须考虑的。此外，在后续生长过程中应避免由于 底为∞’掺Si的n一‰～s(110)单晶片，偏角2。。所用 掺杂剂的记忆效应和高掺杂杂质的扩散等作用影响 M0源为三甲基镓(脚Ga)、三甲基铝(皿咖)、三甲基