AhighlinearitySi_省略_NAforGPSreceiver_罗彦彬.pdfVIP

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2017-08-20 发布于河南
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AhighlinearitySi_省略_NAforGPSreceiver_罗彦彬.pdf

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Vol. 35,No. 4 JournalofSemiconductors April2014 Ahighlinearity SiGeHBTLNA for GPS receiver Luo Yanbin(罗彦彬) ,Shi Jian(石坚) ,Ma Chengyan(马成炎) ,Gan Yebing(甘业兵) , and Qian Min(钱敏) Instituteof Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029,China HangzhouZhongke Microelectronics Co. Ltd., Hangzhou 310053, China JiaxingLianxing Microelectronics Co. Ltd., Jiaxing 314000, China Abstract: Ahighlinearity1.575GHzSiGe:HBTlownoiseamplifier(LNA)forglobalpositioningsystemappli- cations is described. The bipolar cascoded with an MOSFET LNA was fabricated in a commercial 0.18 m SiGe BiCMOS process. A resistor bias feed circuit with a feedback resistor was designed for the LNA input transistor to improve its intermodulation and compression performance. The packaged chip tested on board has displayed a noise figure of 1.11 dB, a power gain of 18 dB, an output 1 dB compression point of dBm and an input third-order intercept point of dBm. The chip occupies a 500 560 m area and consumes 3.6 mA from a 2.85Vpowersupply. Keywords: LNA;noisefigure; high linearity; OP1dB; IIP3; SiGe HBT DOI: 10.1088/1674-4926/35/4/045001 EEACC: 2570B 1. Introduction GPSL1-bandapplicationsandtheresistorbiasfeedcircuitfor theinputHBTtransistorwasmodifiedbyusingafeedbackre- The low noise amplifier (LNA) is the key component of sistor. t