4H-SiC同质外延薄膜中表面探析.pdfVIP

4H—SiC同质外延薄膜中表面研究 刘杰，张玉明，张义门，王悦湖，贾仁需，郭辉，韩征，曹卿 佰安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安710071) 摘要：采用低压化学气相淀积(U啪)方法在偏向l 壁反应室进行同质外延生长．利用原子力显微镜(AFM)，观察外延晶片表面的中心、边缘以及边缘附近 三处位置的表面形态。观察结果显示，中心处表面比边缘平滑，中心处的锄s为0．269Ilm，边缘处的m略 为0．708m，边缘附近处出现大量的缺陷群。通过分析得出，这些表面形态与衬底表面的缺陷以及H2的刻 铀有关． 关键词：4H-SiC；同质外延；U℃VD；形态；AFM 1前言 SiC作为半导体材料具有许多优良的性能，如宽禁带、高热导率、高饱和漂移速度等，因此人们寄希 望于用SiC材料制作的器件比硅器件有更加优良的功能，应用于高温、高辐射及化学腐蚀性强的极端环境 中，同时其较大的功率容量可以使器件小型化。但是，由于SiC外延材料的表面存在许多缺陷，使得SiC 器件在耐压、迁移率方面的半导体特性大大受到影响【l】。SiC外延材料的表面形态会受到许多因素的影响， 如衬底的类型、清洁工艺、反应气流、反应室的温度和尺寸等同。所以，为了能够生长出高质量的SiC外 延材料，人们一直在努力地优化工艺，来降低SiC外延材料中缺陷的密度；同时，人们也一直在努力地研 究缺陷的形成机理。 本文从实验出发，对外延材料的表面进行测试，对测试的结果进行了分析。 2实验 4H-SiC 系统中进行。衬底材料来源于S妃驴脚^G公司生 外延生长在蹦gress公司生产的高温t 产的偏向1 驱动基座旋转的动力气体。 此生长过程中，反应温度在1550C一1600C，生长速度约为5pIn／h，生长时间为2小时。加温过程中， 反应温度进行生长实验。反应的工艺参数如下： 反应工艺参数 硅烷流量 丙烷流量 生长压力 生长温度 a甄比 载气流量 20mlhnm 10mi／min 100mbar 1500℃一16∞℃ 1．5：l 851hnin 538 外延晶片的厚度约为10Hm。经OV测试得出，非有意掺杂浓度为lxl一5唧3，经F皿t测试得出， 其厚度均匀度为19％。 3结果与讨论 利用原子力显镀镜(AFM)，我们对外延晶片表面的三处位置进行了观察．这三处位置分别为中心，边缘 以及边缘附近。中心处表面的AFM图如图1所示。它的表面粗糙度为0_269nm。观察发现，平接的表面有 许多明亮的凸起，这些凸起的高度约为1岫。同时，我f『】还发现几条黑色的浅淘，但浅沟与凸起却投有 形成Si的聚集群，这样可以减小其表面能。同时，他ffJ研究的材料表而在经过№的刻蚀后会也同样产生 了淘状结构【“。所以，浅沟的形成可能足H2后刻蚀的结果。 边缘处表面的AFM图如图2所示。与图1相比，我们可以清晰地看出，图2所示的材料表面质量较 差。它的表面粗糙度为0708mn。在图2中，我们没有发现明亮的凸起，但是黑色的浅淘清晰可见．只是 这些浅淘不再连续，并且要比图1中的浅沟更深。分析认为，在啦流通过程中．晶片边缘处的气流没有中 心处的气流平稳，所以H2在边缘处的刻蚀会更加紊乱，从而导致边缘处形成更深的浅淘。 一条渡纹比较明显．它的高度为 。J o^mdd■■■■■■■■■■■■■■■■■■_ 指jH在衬底的机械抛光过程中，钻石微粒在衬底表面产■■■■■■■■■■■■■■■■■_ 生了大的局部应力，这些应力会激发六方 方向的滑移。在这些应力下，基面位错环会成■■■■■■■■■■■■■■■■■_ 一10rim 因此，我们认为，这些波纹是衬底中机械抛光划痕所引入的基面位错以刃型位错的形式增殖到了外延 层中，在表面形成的表面形态。在进行外延生长之前，为了减小衬底对外延生长的影响，SiC衬底必须进 行刻蚀来消除衬底表面的划痕。在我们的实验当中，衬底的刻蚀是H2原位刻蚀。因此，我们认为，在生长 之前H2刻蚀没有完全刻蚀掉衬底的划痕，从而造成外延层表面出现波纹。 RGrimet 在图3中，还发现—个凹坑。J