Si基腔外键合型共振腔增强InGaAs探测器.pdfVIP

2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会 Si基腔外键合型共振腔增强InGaAs探测器 张岭梓，左玉华，曹权，薛春来，成步文，王启明 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室，北京，10083 Email．．zhang．1abs@_mnaii．com 探测器。键合界面在RCE结构的下DBR和Si衬底之间，键合温度为300℃。器件峰值响 关键词：Si基光子学，RCE探测器，键合，s01-gel 一、引言 Si基光电子学将光电器件与微电子电路相集成，可以实现复杂的功能集成，并能利用 成熟的微电子工艺降低成本。但是Si材料受自身特性的限制，无法实现光通信波段的有源 光器件。高速高量子效率光电探测器是光通信系统中的核心器件之一。目前Ge和InGaAs 材料已广泛应用于探测器研制。其中InGaAs探测器在高速和高饱和功率方面都取得了不错 的进展。PI[2】Ge材料受其间接带隙的影响，在1．551xm波段吸收系数较低，必须通过应力调 节Ge能带，外延难度较大。【3】键合技术能将不同晶片结合在一起，可实现各种器件问的混 合集成，是Si基光子学中的一个重要技术手段。 键合技术一般分为直接键合和间接键合。直接键合对晶片表面平整度和洁净度要求高， 技术难度大，退火温度高，对材料和器件性能有一定影响。间接键合技术中使用中间介质层 提高键合强度，一般对晶片表面形貌要求较低，退火温度低，方法简单，灵活性较高，适用 于不同材料间相互键合。 本文中，我们介绍间接键合中的一种溶胶凝胶键合技术。该方法利用正硅酸四乙酯水解 形成水解物溶液(s01)。相伴聚合形成含有Si02的中间体凝胶(gel)，旋涂于晶片表面后再经热 处理，即转化为无定形的Si02薄膜。S01．gel键合退火温度较低，方法简单，且兼容微电子 工艺。我们利用该技术研制了Si基腔外键合型RCE探测器，同时实现了高速和高量子效率 特性。 二、工艺制作 我们使用金属有机化和物气相沉积技术(MOCVD)在半绝缘InP衬底上生长了外延层。 OiS／cm3， 10rim厚的InGaAs吸收区 其中1．4Q．InGaAsP可作为湿法腐蚀阻挡层和P型欧姆接触层。l 分采用渐变掺杂以构建自建电场加速电子输运，掺杂浓度和厚度分别为2×101S／cm3(40nm)、 InP (1x1016／cm3)和700hmInP(8．5x101S／cm3)。 进行键合工艺前，首先在InP外延片上采用离子束溅射生长5对半的SiO，／SiDBR作为 下反射镜，然后解离成1×1cm2的小片。经过表面去油和RCA溶液清洗后，键合晶片表面 可以形成一层高密度的亲水性羟基。S01．gel溶液配制则选取Si02质量比为5％的配比，并使 片与Si片贴合，然后放置在真空条件下退火，最高退火温度为300C。退火完成后使用湿 法腐蚀去除InP衬底，然后使用标准微电子工艺完成器件制作，并将CPW电极制作在下DBR 73 2011年4t国硅基光电子材料丑器件研讨会 上，最后在器件台面上生长4对半Si02／Si3N4DBR作为上反射镜。器件结构如图1所示。 酗I探测器的截厕示意图段完成制作后的晶微镜照片 三、器件测试及分析 7v，正 图2所示是一个台面直径为20prn的RCE探测器Iv特性。正向开启电压约0 向导通微分电阻约11n。零偏下该器件的暗电流密度为1pA／¨rn2，暗电流随反偏增大而增大． 2v反偏下的赔电流密度达到22pA／pal2。测试中发现不同台面尺寸RCE探测器的lv特性基 本良好，正向导通微分电阻基本在lO～13xq之间，但是反偏下暗电流数量级基本相近，暗 电流密度相差较大。原因主要有以下两方面