可再生能源概论 教学课件 作者 左然 施明恒 第四章 太阳电池.pptVIP

第四章 太阳电池 4.1 太阳电池的原理、发展和现状 1)太阳光子打到半导体表面，能量大于禁带宽度的，打出电子空穴对。 2)由于P-N结具有由N指向P的内建电场，电子和空穴分别向相反方向移动，在两侧电极积累。 3)当与外负载连接时，电子将从N型外侧流出，经过负载返回到P型外侧，与P侧的空穴重新结合，同时对外输出电功。 太阳电池的发展历史 1839年，法国物理学家贝克勒尔（E. Becquerel）在湿电池实验中发现光伏效应。但效率不足1%。 1953年，美国贝尔实验室的皮尔逊(G.Pearson)、查平(D.Chapin)、富勒(C. Fuller) 利用掺杂半导体硅晶片，得到比以前高得多的光电转换效率。 1958年，美国第二颗卫星“先锋1号”首次采用太阳电池，为蓄电池充电，在太空连续工作8年。 1977年，前苏联首次将GaAs太阳电池用在人造卫星上。 我国1958年开始研制太阳电池，于1971年将封装有20多块单晶硅太阳电池的组合板用在我国第二颗人造卫星上。 太阳电池的现状 光伏发电产品主要用于三个方面： 为无电场合提供电源，如边远地区的农牧民家庭、高山或海岛的部队、微波中继站等； 太阳能日用电子产品，如各类太阳能充电器、太阳能路灯、太阳能草坪灯等； 并网发电，这在发达国家己经大面积推广实施。 国际市场上太阳电池价格(2004)： 3美元/瓦，并网系统价格为6美元/瓦 发电成本为25美分/千瓦时。现有太阳电池的成本约是煤电成本的5至8倍。 据估算，如果太阳光伏发电的成本能够下降到10美分/千瓦时，就将有巨大的经济效益！ 4.2 光吸收与载流子产生 每种半导体都有特定的禁带宽 度Eg，即形成一个电子空穴对所需 的最小能量。 当hν Eg的光子打到P-N结附 近，能产生一个而且仅仅是一个电 子空穴对（产生过程），多余的热 量将转为晶格的振动，以热的形式 散发掉。产生的电子和空穴最终将 重新结合（复合过程），以光、电 或热的形式释放出吸收的能量。 当hν Eg ，即当波长λ hC/ Eg时，光子原则上不会被半导体吸 收，而将透射。 光子打到半导体表面，不会立即被吸收，而是进入内部一 段距离。光通量F（光子数/s-cm2）随移动距离x呈指数减少： F(0)为表面（x=0）的光通量，α为吸收系数，它是材料的禁带宽度 和入射光能量（或波长）的函数。 光子进入半导体内部（与表面距离x）的吸收率（即单位体积载流子的产生率）为 ： 对于间接带隙半导体Si，当样品厚度δ 100μm时，不能吸收hν Eg的全部光子； 对于直接带隙半导体GaAs，样品只要1μm厚度就可以。显然，直接带隙比间接带隙更适合用作太阳电池。 Si和GaAs分别是间接带隙和直接带隙半导体的代表。 由于只有超过带隙能量(即波长小于带隙波长)的光子才能产生电子/空穴对，长波长的光将透过半导体。 由于每个光子只能打出一个电子-空穴对，超过带隙的多余能量只是使太阳电池变热。 光伏效应原理 光伏效应的三个主要步骤： （1）入射光子被P-N结附近的电子吸收，产生非平衡的电子-空穴对； （2）非平衡的电子和空穴从产生处向势场区运动，这种运动可以是由于多子的浓度扩散，也可以是由于P-N结两侧准中性区的微弱电场引起的少子漂移； （3）非平衡的电子和空穴在势 场作用下分离，向相反方向 运动。 光照下的电流和电压 当能量为hν Eg的光子打到P-N结上时，产生额外的电子—空穴对 。将这些光产生载流子收集，产生的电流为： :激发光的产生速率 ：电子、空穴扩散长度 q：电子电荷 由于方程所描绘的光电流在P-N结内部由N流向P，当它与二极管方程所描绘的电流迭加时，须从总电流中减去。于是在光照下的二极管的I-V特性关系为： ：电子、空穴的寿命 如图可见: I-V曲线与载流子的产生率gop成比例下降 总电流由两部分相减组成：由通常的二极管方程所描绘的电流项，又称为暗电流Id ，减去光生载流子所产生的电流项，又称为光电流Iop或短路电流Isc。 即： 暗电流 p区少数载流子（空穴）浓度 n区少数载流子（电子）浓度 光电流 当电池开路时，I=0。从方程中可解出开路电压V=Voc为 对于特殊的对称结的情况，有p N = n P，τN = τP。方程可以简化为热产生率pN / τN =gth 和光产生率gop的表达式： ：热激发的产生速率 太阳电池的I-V特性 太阳电池工作时存在四种不同的情况： 一、无光照时的情况：此时，由内建电场产生的平衡电势差为: 其中ni为本征浓度，Nd为施主浓度，Na