干涉法研究硅酸镓镧单晶地基本性质.pdfVIP

魏爱俭 等：干涉法研究硅酸镓镧单晶的基本性质 1139 干涉法研究硅酸镓镧单晶的基本性质* ∗ 1,2 1 2 2 魏爱俭 ，祁海峰 ，袁多荣 ，王增梅 (1. 山东大学 信息学院光电系，山东 济南 250100 ； 2. 山东大学 晶体材料国家重点实验室，山东 济南 250100) 摘 要：用全息干涉法研究了新型压电材料硅酸镓镧 明了方法方便、准确、可靠。 的折射率均匀性，利用干涉透过率谱法研究了双折射 2 实 验 率。并通过测量透过率，计算了吸收系数。确定了吸 收系数与光子能量的变化关系。 材料的均匀性对其应用至关重要，因此在使用材 关键词：硅酸镓镧单晶；折射率均匀性；吸收系数； 料前应首先检测。全息干涉计量法可检测晶体材料内 双折射率 部缺陷和表面不平度及折射率不均匀性，是常用的一 中图分类号：O431 ；O734 文献标识码：A 种无损检测方法，特别是使用 CCD 与计算机以后使 文章编号：1001-9731 （2004 ）增刊-1139-03 测量变得更容易、快速、准确。利用马赫- 曾德干涉 1 引 言 仪其光路长、间隔大、容易得到干涉条纹的特点如实 验装置图 1 所示，由光学全息原理 [7]知折射率不均匀 硅酸镓镧 （La Ga SiO 简称 LGS ）是一种性质 性为 3 5 14 优良的非铁电压电晶体，是由前苏联科学家 Nλ δn （1） A.A.Kaminsky[1] 1982 年首次报道的。二十几年来中外 d 科学家对这一类材料进行了大量的研究[2~4] ，LGS 单 式中N 代表干涉条纹变形量的大小，λ记录条纹时干 晶属三方晶系，为32 点群结构，用提拉法生长，其 涉波波长，d 为被测物体厚度。 机电耦合系数较大，比石英高2~3 倍，并具有很高的 机械品质因素，化学稳定性好，具有零温度系数切向， 且从室温到熔点 1470 ℃时无相变，因此有望替代石 英成为声表面波和声体波材料[5,6] 。 随着现代光通讯的迅速发展，LGS 材料的应用前 景十分诱人。近几年来对 LGS 材料的研究又成为新 热点。本文采用干涉研究方法对材料的基本性质进行 测试，报道了用全息干涉计量法研究 LGS 材料的折 图1 全息干涉计量法测折射率不均匀性实验装置 射率均匀性，并用 CCD 摄像机直接拍摄干涉条纹， Fig 1 Setup diagram for measuring the uniformity of 进行测量计算折射率不均匀性δ≤6×10-6 ，结果表明 refractive indices by holographic interferometry n LGS 材料的折射率均匀性很好。 测量双折