模拟电路 教学课件 作者 徐健 模拟电路电子教案（项目一）.ppt

模 拟 电 路 前 言 模 拟 电 路 项目一 简易充电器的制作 1.1 项目描述 充电器通常指的是一种为蓄电装置提供能量的设备，它能将交流电变换成符合充电要求的直流电。充电器在各个领域用途广泛，特别是在生活领域被广泛用于手机、相机等常见电器。本项目任务是根据充电器的基本组成制作一个简易充电器，通过对简易充电器的制作与调试，达到以下教学目标。 1.1 项目描述 1.2 项目资讯 1.2.1 半导体基础知识 一、半导体导电特性 1、本征半导体 1.2 项目资讯 1.2 项目资讯 2、杂质半导体 1.2 项目资讯 二、PN结的形成及特性 1. PN结的形成 2. PN结的单向导电性 3. PN结的反向击穿 4. PN结的电容效应 1.2 项目资讯 1.2.2 半导体二极管 一、二极管的结构 1.2 项目资讯 二、半导体二极管的伏安特性 1. 正向特性 二极管两端加正向电压时，就产生正向电流，当正向电压较小时，正向电流极小（几乎为零），这一部分称为死区，相应的A(A′)点的电压称为死区电压或门槛电压(也称阈值电压)，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V，如图1-8中OA(OA′)段。 当正向电压超过门槛电压时，正向电流就会急剧地增大，二极管呈现很小电阻而处于导通状态。这时硅管的正向导通压降约为0.6～0.7V（通常取0.7V），锗管约为0.2～0.3V（通常取0.2V），如图1-8中AB(A′B′)段。 2. 反向特性 二极管两端加上反向电压时，在开始很大范围内，二极管相当于非常大的电阻，反向电流很小，且不随反向电压而变化。此时的电流称之为反向饱和电流，如图1-8中OC（OC′）段。 3. 反向击穿特性 二极管反向电压加到一定数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿。此时对应的电压称为反向击穿电压，用表示， 如图1-8中CD(C′D′)段。 1.2 项目资讯 1.2 项目资讯 三、半导体二极管的主要参数 一般常用的检波、整流二极管以及发光二极管，主要有以下四个参数： 1. 最大整流电流指二极管长期工作，允许通过的最大直流电流，它的大小决定于PN结的面积，材料和散热条件，超过此值管子将因过热而损坏。 2. 最大反向工作电压指二极管正常使用允许加的最高反向电压。手册上给出一般为反向击穿电压的一半。 3. 反向饱和电流指在室温和规定的反向工作电压下（管子未击穿时）的反向电流。这个值越小，则管子的单向导电性就越好。它随温度的增加而按指数上升。 4. 最高工作频率晶体二极管保持原来良好工作特性的最高频率，称为最高工作频率。 1.2 项目资讯 四、国产半导体二极管型号命名方法 半导体二极管的型号由五部分组成，如图1-9所示： 第一部分：用数字表示半导体管电极数目，例如，2表示二极管、3表示三极管。 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体材料和极性。例如，A表示是N型锗材料、B表示是P型锗材料、C表示为N型硅材料、D表示二极管为P型硅材料。 第三部分：用汉语拼音字母表示半导体管的类型。P表示普通管、W表示稳压管、Z表示整流管、L表示整流堆、N表示阻尼管、U表示光电管。 第四部分：用数字表示半导体的序号。 第五部分：用汉语拼音字母表示规格代号。 1.2 项目资讯 1.2 项目资讯 1.2.3 特殊二极管 一、稳压二极管 1.2 项目资讯 二、光电二极管 光电二极管又称光敏二极管，可将光信号转换成电信号。它的核心部分也是一个PN结，和普通二极管相比，在结构上不同的是，为了便于接受入射光照，光电二极管在设计和制作时尽量使PN结的面积相对较大，以便接收入射光。 三、发光二极管 发光二极管是半导体二极管的一种，可以把电能转化成光能，常简写为LED。发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成，也具有单向导电性。 1.2 项目资讯 1.2.4 检测及判别二极管 一、检测普通二极管 二、检测发光二极管 三、检测稳压管 1.2 项目资讯 1.2.5 半导体二极管的基本应用 一、半导体二极管整流电路 整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变换为单向脉动直流电的电路。常用的整流电路有单相半波整流电路、单相全波整流电路及桥式整流电路等。 1.2 项目资讯 1.2 项目资讯 1.2 项目资讯 2. 单相全波整流电路 利用副边有中心抽头的变压器和两个二极管构成如图1-18所示的全波整流电路。从图中可见，正负半周都有电流流过负载，提高了整流效率。 1.2 项目资讯 负载上的直流电压为： 负载上的直流电压流为： 1.2 项目资讯 3.单相桥式整流电路 由图1-19可