关于BiCMOS的单片开关电源管理芯片.pdfVIP

摘 要 单片开关电源自从20世纪90年代中期问世以来，以具有高集成度、高性价 比、最简外围电路、最佳性能指标等特点，显示出强大的生命力。电子产业、计 算机和通信等领域的飞速发展，成为开关电源朝着短、小、轻、薄方向发展的巨 大推动力。由此也促成了大力研发高性能、低功耗、高集成度型单片开关电源管 理集成电路的迫切需求。 MetalOxide BiCMOS(BipolarComplementary CMOS与双极型器件结构在单一集成电路内的技术。它既保持了CMOS电路在 功耗、噪声容限和封装密度上的优势，又获得了与双极电路相媲美的高开关速度、 强电流驱动能力和较佳的模拟电路性能。因此，近年来该技术正日益受到集成电 路(Ic)业界的关注和高度重视。 本文设计的单片开关电源管理IC，实现将脉宽调制器、带隙基准电压源、 振荡器、并联调整器、过电流保护电路等低压控制电路部分与高压功率管单片集 成化，并采用先进的BiCMOS工艺技术，使单片开关电源IC的性能得到提高。 本文对单片开关电源管理Ic的单元模块进行了反复的仿真试验，并达到了预先 设定的指标。所设计的单片开关电源管理Ic工作于脉冲宽度调制控制方式，即 行调节，电路正常工作温度范围是O℃～80℃，适用于中、小功率开关电源中。 本文根据单片开关电源管理lC的性能要求，结合目前IC的工艺水平，提出 了实现本文所设计的单片开关电源管理IC的BiCMOS工艺设计要点。 关键词：BiCMOS技术；单片开关电源管理IC；PWM控制方式 中图分类号：TN433；TN453 ABSTRACT Single—chipswitchingpowersupplymanagement Integrated shownvital sinceitcmeoutinthe strongenergies 1990’。sbecausetheIChas many virtuessuchas cost count hilgh level，mosteffective，lowest integration component switchersolutionand instant ofelectronic highperformance．The development andcommunicationetc．fieldis thathasbeen industry,computer greatimplus making andthin．Sotheresearchand switchingpowersupplyshort，light developmentofhigh and performance，lowpowerconsumptionhigh integrationdensitysingle—chip Circuit becomedemand． switchingpower managementIntergated