高温超导体中磁通钉扎中心的人工引入--评述.pdfVIP

2 andChar]esMj，IeberSclence】996：273l237 Deidl；ngYang 3XMXie．etal C 199l7996 Physlca 4姜建义等物理学报1996．45：283 高温超导体中磁通钉扎中心的人工引入一评述 贾志勇乔桂文 中国抖学腕金禹研究所沈阳市文化路72号沈阳ll0015 殆』j o24-23843 53lCXtj 5842 Fax．024—2189132o，f抽j』j 6 3 ne zhyjia@2 摘要本文分析了，高温强场下高温超导体材科中急剧降低的原因，探讨了解决问题的各种。J能方法，综述 了目前高温超导体中提高临界屯流密盅躬研究现状。最后提出r一种可行的方法．也即高温超导体材料中 磁通钉扎中心的人T引入。 己『 言 u √I 临界电流密度Z是高温超导材料在强电应用领域中最关键的参数之一。目前，普遍认为 高温强场r高温超导体的临界电流密度‘主要受两个囚素制约：晶间弱连接与弱的磁通钉扎 能力。经过世界各国众多科学家的努力，已基本解决Y系(各种各样的势{构』：艺)和Bi系 (银包套工艺PIT)高温超导体块材或带材中存在的晶间弱连接问题。为了推动高温超导体 在强电领域的实用化进程，还必须设法向高温超导体中目|入强的磁通钊扎中，￡·，克服高温F 由于弱的磁通钉扎能力而导致的热激活磁通蠕动，磁通流变等现象，提高高温超导体的磁通 钉轧能力，从而提高其磁场下的II￡界电流密度正。本文拟就高温超导体中磁通钏扎中，IL,人I 引入的研究现状作一简要评述。 磁通钉扎中心人工引入的研究现状 磁通钉扎中心，从而提高高温超导体的临界电流密度：有些研究结果表明，高能粒子辐照在 高温超导体中产生的柱状缺陷可能作为强的磁通钉扎中心；直接混入的细小弥散分布的第二 扎中心，有效地提高高温超导体的，值。 理论研究与实验研究结果都表明，重离子轰击及高能离子辐照产生的线j状缺陷与磁通线 间的交互作用能极人地提高上值。这些高能粒子包括重离子，快中子，热中子，电子，质子 度增强磁通钉扎能力。 1颗粒可能作为强的磁通钉扎中心，有效的提高了织构化Y一123超导样品 分布的细小的Y．2I 的，值，特别是磁场下的，值…。他们认为Y．2II相与Y．123相间的界面可能起决定性的 作用。但也有人‘21认为伴随Y．2l】相产生的几何尺度与高温超导体的相干长度相当的层错， 位错圈更有可能作为磁通钉扎中心，提高高温超导体的以值；高温超导体的正值(特别是 磁场r的)取决于微结构，而并不决定于某一特定的样品制各工艺工艺过程：”。 但以上这些种种曾经尝试的方法在涉及到实际应用时．便遇到了重重困难。首先很难预 见剑Y．123中Y．21l如何制各任意形状的带材或是线材。而高能粒子轰击或辐照对于块材的 规模化制各更是不可想象。另外即使制备成为可能，辐照过的材料也具有放射性，并且很长 3l5 半衰期的银同位素使得利用银包套工艺制备线材不太现实。 很明显，只有预先把可能作为磁通线钉扎中心的缺陷或外来粒子掺杂进入超导体母料 内，才会给磁通钉扎能力的提高提供另外的机遇。比如，掺杂Ga离子进入Bi-2212中得到的 含Ga的夹杂相，提高了晶间的临界电流密度及磁场下的稳定性。虽然SrS04因为大尺寸，本 身不能作为磁通钉扎中心，但在熔融铸造处理后仍能显著的提高以。 近年来，有一些研究者尝试直接向高温超导体中引入各种纳米级的颗粒，以期作为强的 磁通钉扎中心，提高高温超导体在磁场下的临界电流密度0值。目前的研究结果表明，适当 的细小颗粒可能作为有效的磁通钉扎中心，提高高温超导体的上值。这些细小的第二相颗粒 包括，尺度从亚微米级到纳米级的颗粒，种类包括从Ag，sn，Pb，Cu等单质的掺杂，从纳 米碳管到Y-21 多种纳米尺度的化合物颗粒。现在，比较普遍认同的