标准书号54 55 308 05421 第一章.ppt

模拟电子技术及应用 作者：赵玉玲 第一章半导体二极管及其应用 本章重点： 主要介绍半导体的基本知识、ＰＮ 结的形成、二极管的伏安特性、特殊二极管、 二极管整流电路及二极管的一些实用知识 1.1 半导体基本知识 1.2 Ｐ Ｎ 结 1.3 半导体二极管 1.4 特殊二极管及应用 1.5 二极管整流电路 1.6 二极管应用基础 §１- １半导体基本知识 １- １- １　什么是半导体 导电能力介于导体与绝缘体之间的物质叫半导体 常常作为半导体材料的有硅（Ｓｉ）、锗（Ｇｅ）、砷化镓（ＧａＡｓ）及一些硫化物和氧化物等 １- １- ２　半导体的共价键结构 纯净的半导体叫本征半导体。 分属于各个原子的价电子都受到相邻原子的影响而使价电子为两个原子所共有，即相邻原子共有一对价电子，这样组合的化学键叫共价键 本征激发或热激发：少数价电子可获得足够的能量（热能或光能）挣脱共价键的束缚而成为自由电子 共价键中的价电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后，在原来的位置上就留下了一个空位，该空位我们称之为空穴。 空穴带一个电子的正电荷 空穴运动 当半导体有电流流过时，其电流由两部分组成，即自由电子定向移动形成的电流和价电子填补空位（空穴的定向移动）所形成的电流 在本征半导体中，由于热激发而产生自由电子，同时留下数量相同的空穴，即电子和空穴成对出现，称之为电子空穴对。自由电子在运动过程中填补空穴而使电子和空穴消失的过程叫复合。 １- １- ３　杂质半导体 在本征半导体中掺入微量杂质，成为杂质半导体，其导电性能会发生显著变化，这是半导体的掺杂性 由于杂质不同，杂质半导体又可分为 Ｐ 型半导体和Ｎ 型半导体 Ｎ 型半导体 N型半导体 在本征半导体中掺入少量 五价元素原子 如：磷或砷等 由于磷原子给出了一个多余的电子，故称为施主杂质 除了磷原子给出的自由电子外，半导体本身也会由于本征激发而产生电子空穴对，但由于增加了杂质原子给出的多余电子，使半导体中的自由电子数多于空穴数，这样该半导体将以自由电子导电为主，所以称为电子型半导体，也叫做Ｎ 型半导体 自由电子为多数载流子（多子），空穴为少数载流子（少子） P型半导体 P型半导体 在本征半导体硅中掺入少量的三价元素 如硼或铟等 由于硼原子在硅半导体中能接受电子，故称为受主杂质 除了硼原子产生的空穴外，半导体本身也会由于本征激发而产生电子空穴对，但由于增加了杂质原子产生的空穴，使半导体中的空穴数多于自由电子数 该半导体将以空穴导电为主，所以称为空穴型半导体，也叫Ｐ 型半导体 空穴为多子，自由电子为少子 在本征半导体中掺入杂质后，载流子的数目将有相当大的增加 杂质半导体中多子的浓度主要取决于掺杂浓度，而少子浓度则主要取决于本征激发，即与温度的关系非常密切 §１－ ２　Ｐ Ｎ 结 在一块本征半导体基础上，通过掺杂使半导体的一侧成为Ｎ 型半导体，另一侧成为 Ｐ 型半导体，则在两种半导体的交界面附近就会形成一个具有特殊性质的薄层，叫ＰＮ 结 １－ ２－ １　ＰＮ 结的形成 Ｐ 区的空穴向Ｎ 区扩散，Ｎ 区的电子向Ｐ 区扩散 扩散运动：浓度差引起的非平衡载流子的运动 漂移运动：载流子在电场作用下的定向运动 多子的扩散运动和少子的漂移运动方向正好相反。 扩散越强，空间电荷区越宽，使内电场越强，则少子的漂移运动得到加强，空间电荷区又将变窄 当多子的扩散运动和少子的漂移运动达到动态平衡时，空间电荷区的宽度不再改变，此时的ＰＮ 结称为平衡ＰＮ 结 １－ ２－ ２　ＰＮ 结的伏安特性 当ＰＮ 结两侧外加电场时，ＰＮ 结具有典型的单向导电性 一、正偏导通 外加电场方向与内电场方向相反，将削弱内电场的作用，即有利于多子的扩散而不利于少子的漂移 多子的扩散经外电路形成正向电流 二、反偏截止 外加电场方向与内电场方向相同，因而加强内电场的作用，即进一步阻碍多子的扩散运动而加强少子的漂移运动 少子的数量有限，ＰＮ 结上流过的反向电流很小，且基本上不随外加电压的变化而变化，故反向电流又称反向饱和电流 ＰＮ 结的正向电阻很小，而反向电阻很大，即ＰＮ 结具有单向导电性 ＰＮ 结具有单向导电性的关键是阻挡层的存在及阻挡层随外加电压变化的特性 三、反向击穿 把所加的反向电压增大到一定值后，其反向电流会突然增加，这个现象称为ＰＮ 结的反向击穿 ＰＮ 结反向击穿的原因是：很高的反向电压引起的场强很强，大大地增加了自由电子和空穴的数目，使反向电流急剧增加 这种现象的产生分两种类型，即雪崩击穿和齐纳击穿 ＰＮ 结的反向击穿是可逆的，加在ＰＮ 结上的反向电压降低后，又可恢复其单向导电性，但其前提是反向电流和反向电压的乘积要小于 ＰＮ 结的最大耗散功率 四、ＰＮ 结的结电容 1.势垒电容 Ch 势垒电容用来描述势垒区的