Cr掺杂InAs自组织量子点的分子束外延生长及磁性质研究.pdfVIP

鼻十一●士_化t——噜俸．tt-忡先’I—憎怫●·哦 Cr掺杂InAs自组织量子点的分子束外延生长及磁性质研究 郑玉宏1赵建华1毕京锋1王玮竹1邓加军2’1夏建白1 (1中国科学院半导体研究所超晶椿嗣寡重点实验室．北京100083) (1中盈科技大学物理系，安教台肥230026) 摘要{利用低温分子束外延技术制鲁了伢掺杂的InAs铁磁性自组织量子点．高丹辨电子显檄镜分析表明Inks：Cr量子点保持了较好的阿 k 谇矿结构．超导量于干涉仅磁性铡量证晴了In^s：cr自组织量子点的铁融转变温度高于400 关键词：稀碰半导体；铁碰性t分子束外延 ’ PACC：7550P；7550D：8115N 2001CB3095) ‘固家自然科学基金项目(批准号1042541960521001)．田家重点基础研究专项(批准号t 1．引言 。 铁磁性的发现…、尤其是随后(Ga，^h1)As的铁磁转变温度实现了ii0K的突破…等重要实验结果 激起了人们研究III-V族稀磁半导体的极大兴趣。稀磁半导体有望同时实现信息的存储和处理，因 而在自旋电子学领域有着广阔的应用前景。然而即使经过退火，(Ga，№)As的铁磁转变温度最高 也只能达至IJl73∥。，远低于室温，致使其目前尚无法在实际中应用。根据空穴做媒介的铁磁交换 作用理论…，较小晶格常数及较大空穴有效质量的晶体会具有较高的铁磁转变温度，这使得像 (Ga，Mn)N”1，(Ga，妇)矿’等稀磁半导体受到较多的关注。而对于窄禁带材料来说，除了最早用非 平衡方法制各的材料(In。Mn)As#f．”’，(In，№)Sb也受到了一定的关注”一。但由于较大的晶格常数 和较小的空穴有效质量，它们的铁磁转变温度都比较低。 量子点因为其独特的物理性质而得到了广泛的研究。量子点激光器有着许多潜在的优异特性， 如较好的温度特性、高的增益和低的闽值电流密度等“““。量子点在红外探测器领域也有诸多优 点，如可以吸收垂直入射光、高的探测效率及高的工作温度等“““1。相对于传统量子点，铁磁性 量子点也有着特殊的用途，借助于它可以很容易实现对自旋的操作，从而在未来固态量子计算和 量子通讯中发挥重要作用““。迄今为止，关于稀磁半导体研究的工作大部分都集中于薄膜样品， 只有为数不多的几个小组生长了^IIl掺杂的InAs铁磁性量子点“’”。本文将介绍cr掺杂的InAs 铁磁性自组织量子点的分子束外延生长、结构及磁性质研究。 2．’实验 了cr掺杂的InAs自组织量子点。在整个生长过程中，利用反射式高能电子衍射仪(R}IEED)原位观察 生长表面的重构，利用叫Hte热电偶监测生长温度。衬底在预备室中除气后送到生长室中进行脱 oc生长厚度为300nBl的GaAs来平滑村底的表面。最后衬底 氧，脱氧温度为580七，然后降温至560 降到250℃进行ImPs：Cr量子点的生长。生长过程中As‘：In柬流比为～80：1，InAs生长速率为～ 我们利用原子力显微镜(AFM)及高分辨电子显微镜(HRTEM)对所生长的材料进行了结构分析，利用 超导量子干涉仪(SQUID)测量了它们的磁性质。 l+__●■*—-●■*，ttI”lt-■l}●t 田1}blA5：Q自组织量子点】骺成时的RHEED图像． 图2{In／乜：Ct量子点上的Ix!阻2AFM图。在O“s(001)缓 FigIRHEED胛螗n抽恤F呷血of岫龇：o冲层上先生长2ML的IaAs。然后分别生长In,妇：Crlt予点：(埔品 ％呐aⅡizedmmm如4． A，7．12 49 ML,晰品B．10．B0ML；(c)样品C，14ML‘(由样品D．