InAs%2fGaAs量子点形貌与光学性质研究.pdfVIP

，r-em,111t,-lll化●■牛摹俸．t靠-忡毫¨件孽木●讧 Inhs／GaAs量子点形貌与光学性质研究 姚江宏1t，贾国治1，舒永春1，王占国1·2 (1南开大学弱光非线性光子学材科先进技术爰制备教育部重点实验室： 信息光于材辩与技术重点实验室l搴迭应用物理学院，天津300457 2中嗣科学院半导体研究所，北京， 100083) 制备了InAs／G刖kst子点．在生长温度从480℃到535．|。范田内，随温度升高。量子点密度不断减小，量子点的直径和高度却呈现增加 趋势：而量子点的荧光峰表现为先红移．后蓝穆。红咎是因为随着生长温度的增加，量子点的尺寸增加影响的‘蓝移则认为是h偏折和 In-Cm互混导翦量子点中的h音量减少造成的．通过分析480℃和535C两个样品量子点生长区域的粗糙情况．发现在生长温度为535℃ 时，量子点生长层的界面平整度被严重的破坏．这可能是导致量子点光学质量下降的主要原因． 关键词，量子点分子柬外廷僳子力显微镜光致发光 PACCl螂}7230DI728eE 中图分类号tTN304．2+3 文献标识码：A 文章编号： l-引言 由于量子点中的载流子在三个维度方向都受到限制，从而展示出体材料和量子阱结构所不具 有的优异性质“j。这些特殊的性能，使得半导体低维量子结构材料在光通信、光电集成、超大规 模集成电路、量子计算等方面显示了极为重要的应用前景。 获得高质量的量子点材料是制各高性能器件的前提条件。量子点的形貌特征能间接地反映量 子点的特殊性质，而生长条件(如生长温度、束流、m，V比以及As压等)又直接影响着量子点的 形貌特征。尽管生长条件对量子点的结构和光学特性的影响己开展了大量工作【2训，但对其性能影 响的主要机制，仍然是一个十分活跃的研究课题。 本文采用分子束外延技术，仅改变生长温度。在GaAs(100)衬底上制各的自组织InAs量子 点。通过对样品进行AFM和PL谱测试，研究了生长温度对量子点尺寸、分布和密度的影响，分析 了生长温度对InAs／GaAs量子点发光性质的影响。 2．实验过程 实验所用的样品均是在Riber 21MBE设备上采用s．K生长模式制各的。制备过程 Compact 为：在GaAs(001)半绝缘衬底上，首先生长100rim的GaAs缓冲层，随后生长hlo3Gao．7As作为 为了使用原子力显微镜测试表面形貌，重复生长没有帽层的量子点结构。量子点层生长温度分别 控制在480℃、500℃、520℃和535℃四个不同温度，其他各层生长温度均为580。C。制备过程中， force 原子力显微镜(atomic microscopy，A曰旧对量子点样品进行了形貌测试。光致发光谱 探测器探测。 3．结果和讨论 图l和图2分别给出了不同生长温度下量子点密度、直径和高度的统计情况，在480C．520(2温 基金项目：田家自然科学基金(项目号t 队发展计划资助 ★通信联系人lEmeih”ojh@越Ⅱk缸cdn．cu l十_-●lR●-÷●m，It-_-￡t-■¨●t 广I土膏20∞辜11月 量子点的密度急剧下降，降到了5．0×109cm。，平均直径和高度明显增加。根据生长动力学分析【4】， 吸附原子的表面扩散长度五可表述为： 屉√历 (1) 式中r为原子在表面的平均驻留时间：D为表面扩散系数，可表述为： D=Dnexp(一E／kT) (2) 式中E为阻止表面原子迁移势垒；T为生长温度：Do为某一常数。由(1)和(2)式可知，随 着生长温度f的升高，扩散系数D增大，即扩散长度兄增加。迁移长度的增加，必然会使量子 点的成核位置减少，造成量子点密度降低；同时，迁移长度