提高ZnO压敏电阻片电位梯度地研究.pdfVIP

中国电I技术学会电I陶瓷专业委受会2005年学术年会论文集 提高ZnO压敏电阻片电位梯度的研究 王玉平 (西安电瓷研究所西安710077) 【摘要】 为了进一步提高ZnO压敏电阻片的电位梯度和能量耐受能力，本 文研究了添加剂复合粉体的颗粒度、瓷体烧结温度和保温时间对电阻片电位梯度乖能 量耐受能力的影响．将添加剂复合粉体的颗粒细化，选择合适的烧结温度(如：1120 ℃)以压足够的保温时间(如：5h)，可以获得系列电位梯度与通流容量的zllO压敏 电阻片．对于由56mm的电阻片，电位梯度可迭3-2—3．5kV／cm；方波通流容量可达 800A．从传统电位梯度和高梯度电阻片显微结构分析中，得出晶粒细小化是提高电 位梯度的重要途径．由于尖晶石是晶粒生长的钉扎中心，作用是抑制晶粒过分长大， 因而控制尖晶石的颗粒大小、均匀分布是控制和促使ZnO晶粒均匀细小化的关键． 【关键词】znO压敏电阻片电位梯度添加剂细小化晶粒细小化尖晶石 1 引言 越高，因此电阻片晶粒细小化是提高电位梯 度的重要途径． 用高电位梯度ZnO压敏电阻片组装超高 晶粒细小化的途径有：在配方中增加抑 压输电系统中的金属氧化物避雷器，可以减 制晶粒长大的组分如氧化锑或氧化钇等，使 轻其重量、降低其高度、减小其体积，进一 ZnO压敏电阻片在烧结过程中晶粒不要过分 步提高避雷器乃至输电系统的安全可靠性． 长大：改变工艺过程特别是降低烧结温度达 因此高梯度大容量ZnO压敏电阻片的制备是 到晶粒细化的目的：采用细化的原料如纳米 关键【l羽。 原料，特别是对ZnO电阻片的压敏特性起重 ZnO压敏电阻片电位梯度与晶粒、晶界 的数量和电压之间的关系符合； 粒度细化至纳米级颗粒，最终使晶粒细化； 降‰时％ (1) 式中： Ⅳgb为ZnO晶界个数； 采用化学法将全部原料共沉淀或仅将添加剂 ‰为跨越晶界势垒的单晶界 部分共沉淀，获得颗粒细小均匀混合的复合 电压，约为3V／晶界； 粉体，在烧结过程中获得均匀细化的ZnO晶 ％为ZnO晶粒电压。 粒[6．81。 由式(1)可知，ZnO压敏电阻片单位厚 本文主要是通过一定的细磨工艺将添加 度上的晶粒和晶界数最越多。其电位梯度就 剂复合粉体的颗粒细小化．结合调整烧结曲 34 中萤电I技术学会电I晦瓷专业委爨会2005年学术年会论文集 线，控制晶粒尺寸小于传统压敏电阻片晶粒 进行能量试验；用SEM观察试样的断口形 尺寸，形成均匀致密的显微结构。从而提高 貌；用颗粒分析仪分析添加剂复合粉体的颗 ’ ZnO压敏电阻片电位梯度和能量耐受能力。 粒度。 2试验内容 3试验结果及分析 全部电阻片试样均采用统一配方：ZnO3．1 添加剂粒度对氧化锌压敏特性的 0．4-1．0m01％，Sb203 92．8-96．6m01％，Bi203 影响 0．7-1．3mo瞄。眦030．3·0．7tool％，C120s