原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
ME95N10T 原厂最新资料.pdf
ME95N10T/ ME95N10T-G
N-Channel 110-V (D-S) MOSFET
GENERAL DESCRIPTION FEATURES
The ME95N10T is the N-Channel logic enhancement mode power ● RDS(ON) ≦8.5m Ω@VGS=10V
● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)
field effect transistors, using high cell density, DMOS trench
● Exceptional on-resistance and maximum DC current
technology. This high density process is especially tailored to
minimize on state resistance. capability
PIN CONFIGURATION
(TO-220)
Top View
The Ordering Information: ME95N10T (Pb-free)
ME95N10T-G (Green product-Halogen free)
Absolute Maximum Ratings (TA=25 Unless Otherwise Noted)
Parameter Symbol Rating Unit
Drain-Source Voltage VDSS 110 V
Gate-Source Voltage VGSS 25 V
TC=25 124
Continuous Drain Current* ID A
TC=70 104
Pulsed Drain Current IDM 496 A
文档评论（0）