深亚微米移动多媒体处理器的节电技术.pdfVIP

中文摘要 如今，集成电路和计算机系统正变得越来越复杂。对于总体系统设计来说， 功耗在设计中的地位已变得越来越重要，这是电子工业发展的必然趋势。电子工 业发展总的趋势是提供更小、更轻和功能更强大的最终产品。目前许多产品领域 中还出现了无线和便携式的要求，从功率观点看设计任务将变得更加艰巨。 便携式产品是I，r技术融合、发展的必然产物，是一个全新的数字多媒体终 端。便携式是我们消费电子娱乐产品的发展必然趋势，处于移动状态的终端会越 来越多，在市场竞争非常激烈的同时，新的技术方案也不断涌现，引发新一轮个 人便携多媒体终端及相关配套市场发展的浪潮，也迎来了前所未有的机遇和挑战， 产品功能日趋完善的同时，电源的稳定性以及功耗问题也日显突出。 飞思卡尔iMX21深亚微米移动多媒体处理器的wellbias节电结构可以对 PMOS与NMOS的衬底偏置电压进行调节。从静态电流的模拟分析中我们能够 看到没有wellbias节电结构的芯片与带有wellbias节电结构的芯片相比，漏电 流提高了10倍。同时从这些实验数据中我们能够得出，P型阱的衬底偏置为．1V， N型阱的衬底偏置为Vdd+0．6V时。整个器件的漏电流最小。 ． 在大多数情形下，对低功耗的要求必须同时满足对高芯片密度以及高吞吐量 电路的同等迫切的要求。在前沿的技术中，降低功耗是一项关键人物，特别是随 着晶体管尺寸的缩小而在硅片上增加晶体管密度的情况下。降低功耗也是数字电 路设计的一项重要目标。本文讨论基于低功耗CMOS电路的各种设计技术。并 重点阐明阱极偏置(wellbias)节电技术在目前超深亚微米(0．13微米以下)工 艺条件下对漏电功耗的控制。并已飞思卡尔iMX21深亚微米移动多媒体处理器 为例。阐述阱极偏置(wellbias)节电技术从设计到验证的整个环节。 关键词：移动多媒体低功耗深亚微米阱极偏置 ABSTI认CT With of thereisanincreasedneedfor the scalingprocesses decreasingleakage drawnthe current by digital of of the logicchips．Theadvantagereducingleakage isincreased current life．Thisbecomes inthecaseof battery especiallyimportant handheld mobiledevice devices，cellularetc．themost featuresof phones important islow design powerconsumption． wellbiascircuit The iS toredutedthe currentoftheARM926 designed leakage transistorsin thethreshold the platform(10-vtHip7Abyincreasing voltageduring mode．Thisinturnreducesthe current10xormoreasshownin standby leakage by thesimulations．Thisisachieved theandn—well byinc