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正电子湮没谱的理论计算及其在亚纳米尺度
微结构研究中的应用
唐政
极化材料与器件教育部重点实验室，华东师范大学
闵行区东川路500号，上海，200241
经过超过半个世纪的努力，正电子湮灭技术已发展成了固体材料中空位型缺陷
（如空位、空位—杂质复合体、空位聚团等）的有力分析手段。然而，通常认为这
一技术对材料中无缺陷的(defect-free)杂质、杂质团、杂质分离相并不敏感。
因此，对于一大类与固体中的杂质及杂质相有关的物理和材料科学问题，常规的电
镜观察方法更为有效和有力。
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