3-3位错的能量3-4.pptVIP

* 第三节 位错的能量及交互作用 一．位错的应变能 图4-27 下页 返回 单位长度刃、螺位错的应变能： 刃型位错： 螺型位错： r0－位错内部半径 r1－位错在晶体中的影响范围 上页 下页 其中2πr为周向长度，b为总的剪切变形量，γ为各点的切应变。 其中G为材料的切变模量。 螺型位错周围的切应力应为： 螺位错周围的切应变应为： 上页 下页 无论是刃型、螺型还是混合型位错，均有： a常取0.5~1.0，螺型位错取0.5，刃型位错取1.0，即位错的能量与切变模的平方成正比，所以柏氏矢量的模是影响位错能量的最重要因素 总结 上页 下页 二．位错线张力 T R 上页 下页 平衡时，位错上的作用力与线张力在水平方向 上相等，即： 由此可知，保持位错线弯曲所需的切应力与曲率 半径成反比，这一关系式对位错运动及增殖有重 要意义。 上页 下页 三、位错的应力场及与其它缺陷的交互作用 1.位错的应力场 ●螺位错： 上页 下页 螺位错周围的晶格应变是简单的纯剪切，而且应变具有径向对称性，其大小仅与离位错中心的距离r成反比，所以切应变与切应力可简单地表达为： 1）只有切应力而无正应力，所以无体积变化； 2）应力的大小与 成反比，与 成正比； 3）切应力是轴对称的； 4）应力场公式不是用于位错中心。 小结 上页 下页 ●刃位错 刃位错的应力场要复杂得多，由于插入一层半原子面，使滑移面上方的原子间距低于平衡间距，产生晶格的压缩应变，而滑移面下方则发生拉伸应变。压缩和拉伸正应变是刃位错周围的主要应变。 上页 下页 上页 下页 上页 下页 小结： 1）既有切应力，又有正应力，最大切应力 处于滑移面上； 2）应力的大小与 成反比，与 成正比； 3）应力场对称于多余半原子面； 4）应力场是“上压下拉”。 上页 下页 2.位错与点缺陷的交互作用 ●柯氏气团：对位错起钉扎作用——固溶强化 ●通过动画说明溶质原子的交互作用 当晶体内同时含有位错和点缺陷时，两者之间会发交互作用。 ●空位与位错也会发生交互作用，使位错发生攀移，这在高温下显得十分重要。 上页 下页 3.位错与其它位错的交互作用 “同号相斥，异号相吸” r r F F F F b1 b2 b1 b2 图4-33 平衡螺型位错之间的交互作用力 上页 下页 四．位错的合成与分解 ●位错反应的两个条件 几何条件：∑b前=∑b后，即反应前后位错在三维方向的矢量之和必须相等 能量条件： ∑b2前=∑b2后，即位错反应后应变能必须降低，这是反应进行的驱动力 上页 下页 上页 下页 ●判断位错反应能否进行 几何条件： 上页 下页 此反应满足几何与能量条件，故反 应成立。 能量条件： 上页 下页 ●实际晶体中位错的柏氏矢量 单位位错或全位错——位错的 b 与连接点阵中最近邻两个原子 的点阵矢量相等 不全位错—— b 小于点阵矢量的位错 hcp bcc fcc 不全位错 单位位错 最密排方向 晶体类型 上页 下页 扩展位错——又两个不全位错，中间夹一层错的位错组态。 扩展位错宽度d—— 3.fcc中全位错的分解及扩展位错 上页 下页 上页 下页 上页 下页 面心立方晶 体全位错与 分位错的滑 移 上页 下页 小结 1)位错实际上并不是跟线，而是具有一定宽度的管道； 2)位错线是晶体中已滑移区与未滑移区的边界； 3)位错线周围的点阵发生弹性畸变，其能量比其它地区高，并发生应力场，此应力场对晶体中的溶质原子或其它缺陷将发生交互作用，对金属和合金的性能将发生影响； 上页 下页 4)位错运动不能引起晶体结构的变化，只能引起晶体缺陷组态与分布的变化； 5)刃位错有一额外半原子面，位错线呈任意形状；螺型位错无额外半原子面，其位错线一定是直线； 6)位错的滑移面就是位错线与它的柏氏矢量构成的晶面，即滑移面；而一定晶体的滑移面，是指该晶体的原子 上页 下页 密排面，即易滑移面；位错的可滑移面不一定是晶体的易滑移面，当两个滑移面重合时，滑移才容易进行。 第四节 晶体中的界面 晶体材料中存在很多界面，同一种相的晶粒与晶粒的边界，不同相之间的边界以及晶体的外表面等。晶面也是晶体缺陷，属面缺陷。 上页 下页 返回 *