生长条件对KDP晶体激光损伤阈值的影响X.pdfVIP

　第10卷　第1期 强 激 光 与 粒 子 束 . 10, . 1 V o l N o 1998年2月 H IGH POW ER LA SER AND PA R T ICL E BEAM S Feb. , 1998 生长条件对 KD P 晶体激光损伤阈值的影响 傅有君　高樟寿　刘嘉民　李毅平　曾　红 山东大学晶体材料国家重点实验室, 济南, 250100 摘要　研究了各种生长条件对晶体激光损伤阈值的影响, 发现提纯原料用的 ED TA 对晶 体的光损伤阈值没有显著的影响, 溶液陈化能够降低晶体的散射强度, 从而使光损伤阈值提 高。多磷酸盐阻碍晶体锥面生长, 影响晶体的生长习性, 并降低晶体的激光损伤阈值。 关键词　KD P 晶体　激光损伤阈值　生长条件 作为惯性约束聚变中倍频与开关器件的首选材料 KD P 晶体的生长技术研究发展迅速。 [ 1 ] 近年发展的快速生长方法 为大幅度降低晶体成本、缩短生长周期提供了希望。目前美国利弗 莫尔实验室 已经在15 天的平均生长速度下, 生长出450 ×450 截面的大尺 LLNL mm mm mm 寸 KD P 晶体。我国KD P 晶体生长研究也有自己的特色, 山东大学晶体材料国家重点实验室 用独创的四槽溶液循环流动法稳定地在恒温恒过饱和度的条件下, 生长出260 ×250 × mm mm [ 2 ] 870 重140 的大晶体, 向生长速度达到3～ 5 天 , 比传统的降温法生长速度提高 mm kg Z mm 了3～ 5倍。本文主要研究与晶体质量直接相关的几个因素。 杂质对晶体的生长习性与质量都有很大影响。高价金属离子, 如三价的 Fe3+ , C r3+ , A l3+ [ 3 ] 等离子能够抑制柱面生长甚至使晶体楔化 , 但适当掺入这些离子即可以抑制晶体生长过程 中不希望出现的柱面扩展, 同时又可提高溶液的稳定性和Z 向生长速度。有机物对晶体损伤 阈值的不利影响已为人们所重视。但用ED TA 提纯原料是否对晶体质量有负面作用, 阴离子 - 2- [ 4 ] 如 , , 焦磷酸根, 偏磷酸根等对 晶体生长的影响报道很少 。我们发现用 NO 3 SO 4 KD P P 2O 5 合成原料及重结晶纯化过程中容易出现多磷酸盐的污染, 并对晶体生长有显著影响。为此本文 研究了这些因素对晶体生长与质量的作用。 1　实验结果与讨论 晶体培养采用降温法, 水浴恒温槽控温精度±002 ℃, 生长容器体积1000 , 原料溶 m l KD P 于去离子水后, 用022 的滤膜过滤, 然后在55～ 20 ℃温度范围培养晶体; 激光损伤阈值用 mm 光斑直径为2 0 的 580 闪光灯泵浦染料激光器 法国 透镜聚焦后以1 1方式测定, 在 cm YG on 暗室中观察到晶体中出现闪光点即为损伤点, 在晶体的不同部位测定8个以上的点, 定义损伤 点数口约占总测定点数40%～ 50% 时的激光能量值为损伤能量。此值与焦斑面积之比即为测 得的损伤阈值 。测试条件是: 波长 1 06 , 脉宽 10 , 透镜焦距 180 , 聚焦后 F th m n s f mm - 5 2 焦斑面积 4 35 ×10 。 S cm 影响晶体质量的因素很多, 文献中对液流、晶转速度、 值、金属离子、有机物都有报 pH [ 5 ] 道 。本文针对我们工作中的问题, 研究了几种工艺条件对 KD P 晶体光损伤阈值的影响, 目标 国家863激光技术领域资助项目。 1997年10月7 日收到原稿, 1997年12月18 日收到修改稿。 傅有君, 男, 1963年9月出生, 博士, 副教授。 第1期 傅有君等: 生长条件对 KD P 晶体激光损伤阈值的影响 119 是找出一个提纯原料的较好工艺和确保大晶体有较高的激光损伤阈值。 1. 1　溶液陈化的作用 溶液陈化处理指的是溶液配制后不立即使用, 而让其静置或缓慢搅拌陈化, 数天后再过滤 使用, 多次使用过的母液也有同样的效果。用不同来源的原料 市售分析纯原料、 提纯 ED TA 料、高纯 和 合成料 、市售 . 和 . 合成料 四种原料 作 P 2O 5 K2CO 3 G R H 3PO 3 G R K2CO 3 陈化溶液 或多次生长后的溶液 与不陈化溶液培养晶体, 其激光损伤阈值的比较见表1。 表1　溶液陈化对 KD P 晶体激光损伤阈值的影响 Table1　Effects of aged solution on the laser damage threshold of KD P crystals ’ -