用于红外探测的非晶硅薄膜晶体管.pdfVIP

维普资讯 《半导体光 电 2006年 8月第 27卷第 4期 韩 琳 等 ： 用于红外探测的非晶硅薄膜晶体管 用于红外探测的非晶硅薄膜晶体管 韩 琳 ，刘兴明，刘理天 清 华大 学 微 电子学研 究所 ，北京 100084 摘 要： 非晶硅 薄膜晶体管由于其较 高的沟道 电流温度 系数而被用于非致冷型红外探测器。 在工艺参数仿真的基础上成功地研制 了离子注入型背栅非晶薄膜 晶体管，并得到 了典型的输 出特 性。制作 出的晶体管具有较高的沟道电流温度变化系数 ，而且制作过程 简单，并能与常规 IC工艺 兼容 ，制作温度不超过 300C。 关键词： 薄膜晶体管；非晶硅；离子注入 中图分类号：TN364．2 文献标识码：A 文章编号：1OO1—5868 2006 04—0393—03 a—SiThinFilm TransistorforInfraredSensors HAN Iin．IIU Xing—ming．LIU Li—tian InstituteofMicroelectronics，TsinghuaUniversity，BeUing100084，CHN Abstract： Becauseofhigh temperature coefficientofdrain current TCC ，a—Sithin film transistor TFT hasbeenappliedtOuncooledinfraredsensors．Theionimplantedbottom—gatea— SiTFT hasbeen successfully fabricated on the basis offabrication simulation．Typicaloutput characteristicsandquitehigh TCC areachieved．Theprocessissimpleand compatiblewith the usualfabricationofICs．ThetemperatureofthewholeprocessiSnomorethan300 。C． Keywords： thinfilm transistor；amorphoussilicon；ionimplantation 1 引言 所 以在对接触层进行刻蚀时 ，会对有源层 的非 晶硅 造成损伤 ，增加非晶硅的界面缺陷，从而影响器件的 非致冷型红外探测器 由于无需致冷装置，因此 性能 。 提高 了系统的便携性 ，并大大降低了成本 ，所以被称 非晶硅薄膜晶体管的接触层还可 以通过离子注 为 “使红外传感领域发生了变革”。近年来 ，非致冷 入进行掺杂_9，本文详细研究 了离子注入掺杂非 晶 型红外探测器在 民用领域和军事领域有着广泛的应 硅薄膜晶体管的制备技术。非晶薄膜晶体管的源漏 用。非晶硅薄膜晶体管由于其较高的电流温度系数 接触层采用离子注入法进行掺杂 如图2所示 与接 TCC ，在室温下约为 6．5 ／Kl】，远高于其他非致 触层气相掺杂型非 晶薄膜 晶体管相比，克服 了工艺 冷探测器材料 VO 2 ～3 ／K [2]、Pt金属薄膜 制作 的困难 ，减少 了对有源区沟道非晶硅薄膜 的损 0．1 ／K L 、BaSrTiO。薄膜 电容 一2．8 ／K ， 伤 ，而且能够与铝 电极形成 良好 的欧姆接触 。背栅 而 日益受到非致冷红外探测器研究者的青睐[5]。 结构的薄膜晶体管要首先溅射金属铝栅 电极 ，由于 通常 ，薄膜晶体管的接触层是通过气相掺杂 ，即 铝硅合金 的熔点为400。C，所以，氮化硅栅介质层和 在 Sill 中掺杂 BH。 或 PH。[7实现的。但是 ，气 非晶硅有源层 的淀积温度应低于400。C。本文研制 相掺杂型薄膜晶体管 如图 1所示 工艺制作比较困 的薄膜晶体管其栅介质层和有源层采用等离子体增 难，主要是 因为反应离子刻蚀 RIE 对接触层气相 强型化学气相淀积 PECVD进行淀积 ，制作 温度不 掺杂的非晶硅和有源层本征的非 晶硅没有选 择性 ， 超过300。C，而且制备工艺简单 ，并能与常规 IC工 收稿 日期 ：2OO5—11—01 艺兼容 。 ·393 · 维普资讯 SEM ICoNDUCToR oPToELECTRoNICS V0I．27No．4 Aug．2006 栅 介质腻 漏电饭 本研 究制作 的非 晶薄膜 晶体 管有源层 的厚度为 150nm，设定注入剂量为 5×l0 ／cm ，变化不同能 量得到的仿真结果如图4所示。由仿真结果可以看 到 ，当注入能量为 2OkeV时 ，峰值在 80nm 附近，这 样源漏区的非晶硅薄膜就被注入 的杂质恰好完全掺 杂 ，而且表面掺杂浓度为 3．