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集电极偏置电流对硅npn晶体管γ辐照效应的影响.pdf
第 卷 第 期 半 导 体 学 报
年 月
集电极偏置电流对硅 晶体管 辐照效应的影响
程兴华 王健安 龚 敏 石瑞英 蒲 林 刘伦才 郭 丰 杨 晨
四川大学物理科学与技术学院 微电子学系成都
微电子技术四川省重点实验室成都
模拟集成电路国家重点实验室重庆
摘要对硅 双极晶体管 室温下不同集电极偏置电流条件下 辐照的总剂量效应进行了研究 结果表
明 晶体管的辐照损伤程度随着辐照总剂量的增加而增加尤其是实验中发现在相同的辐照总剂量下随着辐
照时集电极偏置电流的增加晶体管的辐照损伤程度却在减轻 空间电荷模型的观点并不能很好地解释辐照损伤
与辐照集电极偏置电流的关系 文章对空间电荷模型进行了修正认为除氧化物俘获电荷和界面俘获电荷外还会
在外基区 界面附近形成电中性的电偶极子 利用修正后的理论可以很好地解释所有的实验结果
关键词集电极偏置电流总剂量效应电偶极子空间电荷模型
中图分类号 文献标识码 文章编号
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