E验九硅光电池特性与研究_大学物理实验.docVIP

E验九硅光电池特性与研究_大学物理实验.doc

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.::实验 九 硅光电池特性的研究::. 图一 来源 上海交通大学物理实验中心 光电池是一种很重要的光电探测元件,它不需要外加电源而能直接把光能转换成电能.光电池的种类很多,常见的有硒,锗,硅,砷化镓等.其中最受重视的是硅光电池,因为它有一系列优点:性能稳定,光谱范围宽,频率特性好,转换效率高,能耐高温辐射等.同时,硅光电池的光谱灵敏度与人眼的灵敏度较为接近,所以很多分析仪器和测量仪器常用到它.本实验仅对硅光电池的基本特性和简单应用作初步的了解和研究. .::实验预习::. 硅光电池是属于一种有PN结的单结光电池.它由半导体硅中渗入一定的微量杂质而制成.当光照射在PN结上时,由光子所产生的电子与空穴将分别向P区和N区集结,使PN结两端产生光生电动势.这一现象称为光伏效应. (1)硅光电池的短路电流与照度关系 当光照射硅光电池时,将产生一个由N区流向P区的光生电流IPh,同时由于PN结二极管的特性,存在正向二极管管电流ID.此电流方向从P区到N区,与光生电流相反,因此实际获得电流I为 ?? (1) ??? 式中V为结电压,I0为二极管反向饱和电流,I Ph是与入射光的强度成正比的光生电流,其比例系数与负载电阻大小以及硅光电池的结构和材料特性有关.n为理想系数是表示PN结特性的参数,通常在1-2之间,q为电子电荷,kB为波尔茨曼常数,T为绝对温度.在一定照度下,光电池被短路(负载电阻为零)则V = 0 由(1)式可得到短路电流 ????? (2) 硅光电池短路电流与照度特性见图1. (2)硅光电池的开路电压与照度关系 当硅光电池的输出端开路时,I = 0, 由(1)与(2)式可得开路电压 (3) 硅光电池开路电压与照度特性见图1. 2.硅光电池的负载特性 当硅光电池接上负载R时,硅光电池工作可以在反向偏置电压状态或无偏压状态.它的伏安特性见图2.由图中可见,硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成: (1)反偏工作状态,光电流与偏压、负载电阻几乎无关(在很大的动态范围内); (2)无偏工作状态,光电二极管的光电流随负载电阻变化很大. 由图2可看到,在一定光照下,负载曲线在电流轴上的截距是短路电流IPh,在电压轴上的截距即为开路电压VOC. ?图2??硅光电池的光谱响应. 图3为硅光电池的光谱特性曲线. ??? 即相对灵敏度Kr 和入射光波长??的关系曲线.从图3中可看出,硅光电池的有效范围约在450—1100 nm之间.实验室给出六种不同的滤色片,透过各滤色片光的波长见表1. 表1 滤色片波长值 深红 红 橘红 淡黄 绿 蓝 670.0nm 633.0nm 589.0nm 532.0nm 514.0nm 470.0nm (1)实验中所用光源为发光二极管,二极管发出的光再打在荧光粉上发出白光,其各谱线所对应的光强与波长有关,本实验中所用光源的相对光强与波长?关系写在桌子上的表格上面. 表2 光源的波长所对应的相对光强 波长(nm) 670.0 633.0 589.0 532.0 514.0 470.0 光强 5.87 13.35 23.04 21.57 18.35 77.7 (2)实验室给出的各种波长滤色片的波长并不严格,它有一定的宽度,给出的仅仅是峰值.表征宽度通常是用半带宽?λ表示,滤色片的峰值透射率用T表示,各个波长滤色片的?λ和T并不一致,即使同一波长滤色片的峰值透射率在技术上也很难做到一致.因此,对每组实验仪器,各波长滤色片对应的峰值透射率T及半带宽?λ已附在各组实验仪器上. (3)硅光电池的灵敏度K为 (4) P(?)为硅光电池测得的光强,可用硅光电池的输出电压或电流表示。 硅光电池的相对灵敏度Kr为 (5) Km为不同波长对应K(?)的最大值 4.实验中,光源的能量主要集中在红外区域,本实验所用的偏振片对红外不起偏,因此要选择合适的滤色片滤掉红外光,才能进行验证马吕斯定律的实验内容. .::实验仪器::. 硅光电池、光学导轨及支座附件,光源,聚光透镜,比色槽,数字万用表,多圈电位器,滤色片,偏振片,照度计. ? ? ???????????????????????? 滤色片 .::思考题::. 1.实验中所用光源的电压发生变化,表二所提供的参数是否发生变化? 提示:实验中所用的光实际上是二极管直接发出的光打到荧光粉上,然后发出的荧光,相对光强的分布,应该取决于荧光粉的性质,和所加的电压没有关系。所以,所用光源的电压变化,表二提供的参数应该不发生变化。 2.硅光电池的输出与入射光照射瞬间有没有滞后现象?可否用实验证明. 提示:有。入射光照射讯号需要先改变载流

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