E验九硅光电池特性与研究_大学物理实验.docVIP

.::实验 九 硅光电池特性的研究::. 图一 来源 上海交通大学物理实验中心 光电池是一种很重要的光电探测元件，它不需要外加电源而能直接把光能转换成电能．光电池的种类很多，常见的有硒，锗，硅，砷化镓等．其中最受重视的是硅光电池，因为它有一系列优点：性能稳定，光谱范围宽，频率特性好，转换效率高，能耐高温辐射等．同时，硅光电池的光谱灵敏度与人眼的灵敏度较为接近，所以很多分析仪器和测量仪器常用到它．本实验仅对硅光电池的基本特性和简单应用作初步的了解和研究． .::实验预习::. 硅光电池是属于一种有PN结的单结光电池．它由半导体硅中渗入一定的微量杂质而制成．当光照射在PN结上时，由光子所产生的电子与空穴将分别向P区和N区集结，使PN结两端产生光生电动势．这一现象称为光伏效应． （1）硅光电池的短路电流与照度关系 当光照射硅光电池时，将产生一个由N区流向P区的光生电流IPh，同时由于PN结二极管的特性，存在正向二极管管电流ID．此电流方向从P区到N区，与光生电流相反，因此实际获得电流I为 ?? （1） ??? 式中V为结电压，I0为二极管反向饱和电流，I Ph是与入射光的强度成正比的光生电流，其比例系数与负载电阻大小以及硅光电池的结构和材料特性有关．n为理想系数是表示PN结特性的参数，通常在1-2之间，q为电子电荷，kB为波尔茨曼常数，T为绝对温度．在一定照度下，光电池被短路（负载电阻为零）则V = 0 由（1）式可得到短路电流 ????? （2） 硅光电池短路电流与照度特性见图1． （2）硅光电池的开路电压与照度关系 当硅光电池的输出端开路时，I = 0， 由（1）与（2）式可得开路电压 （3） 硅光电池开路电压与照度特性见图1． 2．硅光电池的负载特性 当硅光电池接上负载R时，硅光电池工作可以在反向偏置电压状态或无偏压状态．它的伏安特性见图2．由图中可见，硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成： （1）反偏工作状态，光电流与偏压、负载电阻几乎无关（在很大的动态范围内）； （2）无偏工作状态，光电二极管的光电流随负载电阻变化很大． 由图2可看到，在一定光照下，负载曲线在电流轴上的截距是短路电流IPh，在电压轴上的截距即为开路电压VOC． ?图2??硅光电池的光谱响应． 图3为硅光电池的光谱特性曲线． ??? 即相对灵敏度Kr 和入射光波长??的关系曲线．从图3中可看出，硅光电池的有效范围约在450—1100 nm之间．实验室给出六种不同的滤色片，透过各滤色片光的波长见表1． 表1 滤色片波长值 深红 红 橘红 淡黄 绿 蓝 670.0nm 633.0nm 589.0nm 532.0nm 514.0nm 470.0nm （1）实验中所用光源为发光二极管，二极管发出的光再打在荧光粉上发出白光，其各谱线所对应的光强与波长有关，本实验中所用光源的相对光强与波长?关系写在桌子上的表格上面． 表2 光源的波长所对应的相对光强 波长(nm) 670.0 633.0 589.0 532.0 514.0 470.0 光强 5.87 13.35 23.04 21.57 18.35 77.7 （2）实验室给出的各种波长滤色片的波长并不严格，它有一定的宽度，给出的仅仅是峰值．表征宽度通常是用半带宽?λ表示，滤色片的峰值透射率用T表示，各个波长滤色片的?λ和T并不一致，即使同一波长滤色片的峰值透射率在技术上也很难做到一致．因此，对每组实验仪器，各波长滤色片对应的峰值透射率T及半带宽?λ已附在各组实验仪器上． （3）硅光电池的灵敏度K为 （4） P(?)为硅光电池测得的光强，可用硅光电池的输出电压或电流表示。 硅光电池的相对灵敏度Kr为 （5） Km为不同波长对应K（?）的最大值 4．实验中，光源的能量主要集中在红外区域，本实验所用的偏振片对红外不起偏，因此要选择合适的滤色片滤掉红外光，才能进行验证马吕斯定律的实验内容． .::实验仪器::. 硅光电池、光学导轨及支座附件，光源，聚光透镜，比色槽，数字万用表，多圈电位器，滤色片，偏振片，照度计． ? ? ???????????????????????? 滤色片 .::思考题::. 1．实验中所用光源的电压发生变化，表二所提供的参数是否发生变化？ 提示：实验中所用的光实际上是二极管直接发出的光打到荧光粉上，然后发出的荧光，相对光强的分布，应该取决于荧光粉的性质，和所加的电压没有关系。所以，所用光源的电压变化，表二提供的参数应该不发生变化。 2．硅光电池的输出与入射光照射瞬间有没有滞后现象？可否用实验证明． 提示：有。入射光照射讯号需要先改变载流