光电式互感器原理和结构.pdfVIP

第 37卷 第9期 壹压器 qol37 Seplember 2000年9月 刀￡l1 砼 ●岔 光电式互感器原理和结构 地 -：董堡出zT}1 l }1 慕键茎词：毛量垄墨盔垒墨量兰塑耋；哩 和固瑟7滚 垒趟。 中国分类号 ：TM450．1 文献标识码：A 文章编号 ：1001—8425{2000)09—0018—05 1 概述 分别介绍。 2 光电式电压互感器(OVT) 在电力系统 中，电能计量 、继电保护、运行控制、 仪表测量都需借助予电流互感器和电压互感器，将 2、l 基于电光效应的电压互感器 一 次大电流转换为二次小电流 (5A或 lA)或将一次 某些 晶体在没有外电场作用时，其各向同性 ，光 高电压转换为二次低 电压 (100V或 58V)。它们 的 率体为一圆球体。在外电场作用下，导致其入射光 基本原理都是利用 电磁感应原理。这是一种传统式 折射率改变 ，这种效应就是光学 的Pockels效应。 的互感器。 其表达式为 ： 然而，随着电力传输容量的不断增长和电网电 An = KlE 压的提高，传统的电磁式结构的互感器已暴露出许 式中 △n——入射光的折射率 多缺点 ，其主要缺点如下： E一 外加电场强度 (1)电压等级越高，其制造工艺愈复杂，可靠性 ． — — 常数 愈差 ，造价愈大。 这种折射率的变化将使某一方向人射晶体的偏 (2)带导磁体的铁心易产生磁饱和和铁磁谐振 ， 振光产生的电光相位延迟，且延迟量与外加 电场强 且有动态范围小、使用频带窄等缺陷。 度成正比。常用于OVT的晶体有锗酸铋 (BiGe~O．：， 上述问题难以满足系统要求。 简称 BGO)、硅酸铋 (Bi．2Sio妯，简称 BSO)和锯酸锂 自2O世纪60年代以来，一些科技发达的国家 (LiNbO，，衙称 LN)。 已在研究一种新型的互感器，他们利用光学技术。 №瓢 测量光 的折射率通常是通过干涉法进行间接测 m 光纤传感技术开发研制 出光电式电压互感器 (ow ) ／ 和光电式电流互感器(OcT)以及组合式光电互感器 量，其基本结构主要 由传感头、信号传输光纤和测量 (OMu)。它们具有传统式互感器不可比拟的优点， 系统组成 ，如图l所示。 其优点如下 ： 图2为 BGO光纤 电压传感头的工作原理和结 (1)体积小，重量轻； 构。