大直径直拉硅片的快速热处理.pdfVIP

　第 24 卷第 5 期 半　导　体　学　报 . 24, . 5 V o l N o 　2003 年 5 月 CH IN E SE JOU RN AL O F SEM ICON DU CTO R S M ay , 2003 大直径直拉硅片的快速热处理 余学功　马向阳　杨德仁 (浙江大学硅材料国家重点实验室, 杭州　3 10027) 摘要: 主要研究了快速热处理( ) 对大直径直拉( ) 硅片的清洁区( ) 和氧沉淀的影响. 通过在 、 、 三 R T P CZ D Z A r N 2 O 2 种不同气氛中, 在不同温度下R T P 发现在大直径 CZ 硅片中氧沉淀的行为及D Z 的宽度与R T P 的温度、气氛有很 大关系. 在实验的基础上, 讨论了在大直径 CZ 硅中R T P 对氧沉淀和D Z 的影响机理. 关键词: 快速热处理; 空位; 清洁区; 氧沉淀 : 6280 ; 6 170 ; 6 170 PACC C Q T + ( ) 中图分类号: TN 304 1 2　　　文献标识码: A 　　　文章编号: 02534 177 2003 散[ 5, 6 ] ; 随后在低温长时间形核以及高温长大从而获 1　引言 得能够形成有效吸杂能力的氧沉淀及其诱生缺陷, 这个 IG 过程强烈地依赖于样品的原生氧浓度和热 大规模集成电路特征线宽的不断减小对集成电 [7～ 9 ] 历史, 而且工艺复杂 . 而M D Z 被认为是一种快 路制造过程的质量控制提出了越来越高的要求, 普 速可靠的、重复性很好的 IG 工艺, 它是利用 R T P 通的高温退火由于热预算(th erm a l bu dget) 量大, 将 在硅片体内通过空位的分布而不是氧浓度的分布来 会对器件造成不 良的影响, 如引起杂质扩散的再分 控制氧沉淀的行为. M D Z 的形成与硅片的原始氧浓 布而影响浅结的结构, 金属沾污引起漏电流, 对大直 度、热历史和集成电路制造的具体细节等几乎无关. 径硅片温度控制不精确等. 快速热处理(R T P ) 具有 由于M D Z 是M EM C 的专利技术, 因此其具体细节 快速升温的特点, 可以显著减少杂质扩散和金属沾 并未对外公布. 特别是关于在不同气氛、不同温度下 污, 同时由于R T P 的热电偶直接测量硅片的温度, 进行R T P 对硅片体内氧沉淀和表面D Z 的影响国 因而温度控制比较精确, 因此R T P 在当今的集成电 内还未见报道. 路制造中得到了广泛的应用[ 1～ 4 ].