Particle-in-cell方法对金属等离子体运动地研究.pdfVIP

一一一 苎里芝翌鎏垫垫查銮鎏全篓苎壅 Particle—in—cell方法对金属等离子体运动的研究 王浪平，甘孔银，王小峰，汤宝寅，于永皓，王宇航，刘洪喜 哈尔滨工业大学现代焊接生产技术国家重点实验室，哈尔滨150001 的数值模型，研究丁不同模拟时刻金属等离子体的密度和衬底上沉积粒子的均匀性分布，研究结果表明， 金属等离子体密度分布在一定模拟时间后达到稳定状态，这个模拟时间主要由等离子体运动速度和模拟 孛问的匠度决定。模拟结果还表明在一定的模拟时间后，金属等离子体在衬底的分布达到稳定状态． 关键词：模拟，金属等庸子体，双等离子体沉积，均匀性 V 0引言 脉冲阴极弧金属等离子体源产生的金属等离子体密度高，定向运动速度快，而且金 属等离子体源出口处等离子体分布非常不均匀，一般情况下均呈高斯分布l…，而在沉积 时要求能够得到比较均匀厚度的薄膜。为了达到这一要求，有必要对金属等离子体的运动 过程进行研究，获得金属等离子体在不同位置处的速度和密度分布，找出影响薄膜沉积均 匀性的因素．从而提出改善均匀性的措旌。 目前，对等离子体运动规律的认识一般采用数值模拟方法，国际上对均匀的气体等 离子体PIII过程已经作了比较深入研究．提出了朗缪尔无碰撞动态等离子体鞘层模型． 冷等离子体流体模型和PIC模型．模拟空间也从一维发展到二维和三维。“。。但是，脉冲阴 极弧金属等离子体源所产生的金属等离子体是非均匀等离子体，而国际上对于非均匀金属 等离子体运动规律的研究非常少，只有I．G．Browa等人对金属等离子体的运动过程提出 一个简单一维理论模型，由于金属等离子体在其出口方向轴向与径向的分布都不均匀，用 这个一维理论模型很难提出解决均匀性的措施。为此，用二维或者三维的数学模型来模拟 金属等离子体的运动过程，将会有助于了解金属等离子体的运动规律，从而提出有效改善 均匀性的措旌。由于金属等离子体在空间分布是不均匀的，用数学模型对金属等离子体进 行模拟的难度在于初始等离子体密度的设定。本文将采用数值模拟手段，根据脉冲阴极弧 金属等离子体源出口处径向等离子体密度分布，建立描述等离子体运动规律的数学模型． 埘PIC方法跟踪金属等离子体的运动过程，获得非均匀金属等离子体在不同时刻密度分布 和运动空间中电场分布的理性认识，研究不同金属源出口与衬底之间距离对沉积薄膜均匀 性的影响。 全国特种连接技术交流会论文集 】理论模型 1 1模拟区域 本文主要对金属等离子体从金属等离子体源出口到衬底之间的运动过程进行模拟， 图I是模拟区域示意图。由于金属源与衬底出口均为圆形，金属等离子体在空间的运动是 轴对称的，因此采本文用二维模型来模拟其运动；由于金属等离子体的运动空间中左右两 个区域完全对称，因此模拟区域仅为金属等离予体实际运动区域的一半。模拟区域的两个 坐标轴分别为R和L轴，衬底与金属源出口之间距离为D，D模拟及实验过程将改变D 的大小，金属源直径为80ram，衬底直径为100mm，衬底偏压为50V。． 1 Schematicofsimulationarea Fig 1．2理论模型 空间任意位置的电子密废，n。，由Boltzmann方程(式1)来描述： 旷”xp(掣] ㈩ 式中，‰是等离子体密度， k是BoRzmarm常数，I是电子温度，≯是该位置的电位， ≯。是等离子体电位。 空间任意位置处的电位可由泊松方程(式2)得出： v：庐=一』一(g疗，一n。) 式中， 毛是真空介电常数，e是基本电荷，q是正离子电荷，n·是正离子密度。 ——一一．．．盒里竺翌堡鳖垫查奎鎏盒兰苎整 单个粒子在非均匀分布等离子体中受到的扩散动力： 乃=一kT,An，／， (3) 粒子在电场与扩散动力作用下满足牛顿运动定律，在