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2004年8月大蓬
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10Gb／s自对准InGaP／GaAs
HBT单片集成跨阻放大器的研究
袁志鹏孙海峰刘新宇
(中国科学院微电子中心，北京100029)
摘要：本文对自对准lnGaP／GaAs
HBT单片集成跨阻放大器进行了研究，采用发射极金属做腐蚀掩膜并利用GaAs
腐蚀各向异性的特点来完成BE金属自对准工艺，单指管子电流增益为80，发射极面积3
6um×6um的单管在V，E=2V
偏压条件下截至频率达到了60GHz。我们设计并制作了单片集成跨阻放大器电路，测量得到的跨阻增益在3
dB带宽
频率时为59．3dB0，3dB带宽为9．4GHz，输出反射系数小于一9dB．
关键词：InGaP／GaAsHBT：自对准工艺：跨阻放大器
EEACC：
中图分类号：TN386 文献标识码：A
of HBT
Research InGaPIGaAsMonolithic
2．5Gbps
Self-Aligned
TransimpedanceAmplifier
Yuan ehenxi，Sun Xinyu
zhipeng，Zhengliping，E Haifeng，Liu
Abstract：We the lnGaP／GaAsHBTmonolithic researchThe
investigatedself-aligned transimpedanceamplifier topic
isformed metalas mask．The
BE emitter etch clilremtofthedevicewe
self-alignedjunction using average gain fabricatedis
80TheCUt—Off ofthedevicewhoseemitterereais3．6um×6umreaches60GHzunder biascondition．
frequency VcB-2V
ofthe we andfabricatethatthe is
Themeasuredresults show 59．3dBU
transimpedanceamplifierdesign transimpedancegain
coefficientisbetterthan一9dB
and一3dBbandwidthis94GHzreflection
Theoutplit
HBTTransimpedance
Keywords：Self-alignedBEjunctionprocess；lnGaP／GaAs Ampli
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