负偏压在碳纳米管生长过程中的作用的探究.pdfVIP

王必本 等：负偏压在碳纳米管生长过程中的作用研究 2865 负偏压在碳纳米管生长过程中的作用研究 ∗ 1,2 2 2 1 2 王必本 ，王 波 ，朱满康 ，张 兵 ，严 辉 (1. 北京工业大学 应用数理学院，北京 100022 ；2. 北京工业大学 薄膜材料实验室，北京 100022) 摘 要：利用负偏压增强热丝化学气相沉积系统，在 行控制，工作气压为 4kPa 。灯丝与衬底之间的 Mo 沉积有过渡层Ta 和催化剂层NiFe 的Si 衬底上制备 网用来作为偏压电路的正极，Mo 网与衬底之间的距 得到了碳纳米管。研究发现，负偏压对NiFe 层的裂 离为6 mm ，相对于Mo 网的负偏压通过Mo 衬底支 解和碳纳米管的生长都有很大的影响。本文详细分析 架施加到衬底上。 和讨论了负偏压在碳纳米管生长过程中的作用。 电极 关键词：碳纳米管；负偏压；热丝CVD 气体入口 中图分类号：O484.1 文献标识码：A 文章编号：1001-9731 （2004 ）增刊 旋扭 1 引 言 碳纳米管具有独特的结构和性能如高的长径比， 高的力学强度[1] ，依赖于直径和螺旋性的导电性能等 Mo 网 灯丝 [2] [3] [4] ，并可用来储存氢 , 用作Li 离子电池的阳极 以 及用作平面显示器和电子枪的场电子发射源等[ 5] 。因 衬底 此，自从1991 年Iijima[6]发现碳纳米管之后，碳纳米 管的研究受到了人们的极大关注，并在全世界范围内 形成了研究高潮。 A 法兰 碳纳米管的性能和应用由其结构决定，而结构完 R 全由生长条件来控制。研究生长条件对碳纳米管生长 的影响，对控制碳纳米管的生长和应用意义非常重 大。化学气相沉积 （CVD ）是制备碳纳米管常用的一 V 种技术，本文的工作是将负衬底偏压与热丝CVD 结 合起来，组成负偏压增强热丝CVD 系统制备碳纳米 图1 热丝CVD 系统 管，并着重研究了负偏压对碳纳米管的生长方向和生 Fig 1 Hot filament CVD system 长速率的影响机制。 使用单晶 Si 作为衬底。在沉积碳纳米管之前， 2 实 验 先利用 RF 射频等离子体溅射，在 Si 衬底上沉积 100nm 的Ta 层以及60nm 的NiFe 催化剂层。其中， 制备碳纳米管的热丝CVD 系统如图