高质量、大直径磷化铟材料的探究.pdfVIP

高质量、大直径磷化铟材料研究 孙聂枫、陈旭东、杨光耀、赵有文、谢德良、刘二海、刘思林、孙同年 电子部第十三研究所，石家庄市179信箱40分箱，050002 摘要 随着应用领域的不断扩大，对材料的质量提出了越来越高的要求：为了提高利用效率和适应犬规模集成电 路的要求。对晶片的尺寸也提出了越来越大的要求，为此我们课题组从“八五”末开始进行高质量、大尺 寸InP材料的研究工作。经过两年多的反复实验，在有限的条件下我们可重复的生长出直径大于2英寸的 n型、P型。半绝缘的InP单晶·并于1996年中成功的生长出迄今世界上最大之一的整锭InP单晶，它重 42Kg．最大直径大于82mm，长约160mm，生长到最后尾部仍可清晰的看出其各个完美的晶面，而且阶 梯生长的面非常明显，甚至比教科书上画的还生动，这是一根不可多得的化合物半导体体单晶材料。 肖提高晶体质量，提高晶体成晶率，主要克服的是孪晶的出现，和降低位错密度。为生长大直径单晶，主 要要有稳定合适的热场环境。影响磷化铟成晶率的最困难因素是生长晶体过程中在晶体中出现孪晶。常见 的孪品主要有眼睛型、跨肩型、斑马型。通过反复实验我们小结了克服，孪晶形成的技术措施：a．适当提高 固液界面的温度梯度：b．各种晶体生长参数的合理选择：c合理的热场设计，调整好径向温度梯度和轴向 温度梯度。 晶体都是在一定温度梯度下生长的．这必然在晶体内部产生应力．当应力超过晶体临界切应力时由滑移产 生位错．与硅等其它半导体材料比InP的临界切应力值小，所以在小的应力下就会产生位错。这就是‘hIP 晶体位错密度高的原因。为减少晶体中的位错密度，我们采取如下措施：a．选择位错密度低的籽晶，引晶 过程适当采用缩颈技术；b，利用杂质效应进行适当掺杂，既解抉了材料的导电类型又提高了晶体的临界切 应力，降低了位错密度。 在我们自己设计制造韵LD．1型大型高压单晶炉内可以生长5-8Kg的IxLP单晶，它的炉膛内径比现在的 MR-358还要大，所以选择合适的热场设计是生长大直径单晶的关键。我们在工艺中主要采用的是“封闭 式”热场设计，实践证明这是一种好的热场设计。通过我们从理论到实践的检验，我们可以比较容易的控 制晶体的表面不离解，固液界面凸向熔体方向，从而生长高质量的InP单晶。 一、引吾 随着磷化铟(InP)晶体生长和薄膜淀积技术的进展，磷化铟材料已成为用于超高速、 高频、耐辐射器件的主要竞争者，在微波异质结器件、双极晶体管、高迁移率晶体管以及 太阳能电池等方面己显示出功率大、效率高等优势。由于IllP所具有的独特优越品质，使 其在化合物半导体领域占有重要的地位。目前以发展新型预警系统为核心的新一代区域综 合电子信息系统中．在其指挥系统中，要求高速信号处理：在情报侦察系统中，要求配套 微波毫米波雷达；在电子战系统中的精密制导技术中，要求智能化、高灵敏度和高分辨率 及抗干扰：在地面侦察卫星中要扩频，改善天线束波技术，实现星上交换和星际中继。为 满足上述系统的需求．三端有源器件必须工作在毫米波段。因此传统的Si器件、GaAs 和hP基的HEMT．它们分别工作在毫米波段的低端、中端和高端。而对于高频高性能的 预测到GaAsHBT电路的需求不久将每月超过$0l亿，而在lO月该公司又在GaAslC会议 上作出了令人更吃廉的预测，lnP电路在3到5年期间拥有同样的需求量。其实早在1989 年美国国防部在优先开发的项目中就规定到2000年对I妇要有可靠的来源，随后到1996 。 年美国陆军在其制定的今后发展的二十项关键电子技术中将InP列为重点发展的一条。目 前世界上最大的化合物半导体提供商英国的MCP公司在1994年底开始了为期1年半的对3 大单晶。而日本科学工作者早在九十年代初就开始了IrtP大单晶的生长工作，1997年他们 报道了在5Kg熔体中生长出大单晶。从1996年起国际上许多半导体方面的大公司都加大丁 对IIlP材料研究的投入。因为由于器件的发展迅速，导致对材料的需求突然增长很快，所 以IaP大单晶的市场需求是很明显的。 为了不使我国InP材料加大与国外先进水平的差距，国家在“九五”期间专门为InP 设立了多个项目，进行新品、预研和攻关。我们从1996年正式开始3英寸IrLP大单晶的研 60 究，但由于一些客观原因所做的实验次数不多，但我们在有限的实验条