二氧化钒薄膜及可调谐太赫兹功能器件研究.pdfVIP

426 第一届全国太赫兹科学技术与应用学术交流会论文集 二氧化钒薄膜及可调谐太赫兹功能器件研究木 文岐业1孙丹丹1邱东鸿1陈 智2 吉言达1林媛1张怀武1 (1．电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室四川 成都610054； 2．电子科技大学通信抗干扰技术国家重点实验室 四川 成都610054) 摘要绝大多数自然物质对太赫兹波缺乏有效响应，已有电子器件和光学器件也很难直接对 太赫兹传输进行控制。太赫兹功能材料和器件的缺乏，严重制约了太赫兹技术向实用化方向发展， 成为太赫兹领域亟待解决的关键问题之一。二氧化钒(vo：)薄膜在室温附近具有绝缘体一金属相变特 性，相变过程伴随着显著的电学和光学性能变化，对太赫兹波也有很好的响应特性。本文利用低温 磁控溅射技术和聚合物辅助沉积技术，在太赫兹和光学频段透明的基片上制备出高质量的二氧化钒 薄膜。利用太赫兹时域光谱系统(THz．TDS)分析了薄膜的绝缘体一金属相变特性，发现相变过程中薄 膜对太赫兹透射强度具有强烈的调制作用。基于这个特性，通过相变材料与人工电磁结构相集成， 展示了可调谐太赫兹吸收