BST薄膜可调FBAR器件的建模的仿真.pdfVIP

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2017-08-17 发布于安徽
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BST薄膜可调FBAR器件的建模的仿真.pdf

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V01．40 第40卷增刊电子科技大学学报 Suppl． ofChina l Journal ofElectronicScienceand Apr．201 2011年4月 ofUniversity Technology BST薄膜可调FBAR器件的建模与仿真杨天应，蒋书文，赵华，黎彬，姜斌，李言荣 (电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点试验室成都610054) 反射层、BST薄膜性质等对FBAR器件性能的影响，设计了谐振频率为3GHz的BST薄膜FBAR器件．仿真结果表明，厚度为l，4 波长的4层Mo和Si02交叠而成的B啾射层能够对声漏损起到很好的抑制作用；机电耦合系数砰决定于BST薄膜的介电常数。机电耦合系数越大，串并联谐振频率之差越大，单个FBAR的3dB带宽越宽；外加场强的变化引起BsT介电常数发生变化，导致FBAR的机电耦舍系数(砰)以及纵向声速(’，)发生变化，串联谐振频率比并联谐振频率有更大的可调．固态封装型关键词Ba，Srl—Ji03；频率可调；薄膜体声波谐振器；中图分类号TB34 文献标识码A doi：lO．3969／j．issn．1001·0548．2011．z1．023 Thin—FilmBulkAcoustic and ofTunable ModelingSimulating WaveResonator BaxSrl_xTi03(BST) Using YANG LI Shu-wen，ZHAOHua,LIBin，JIANGBin，and Tian-ying，JIANG Yan-rong ofElectronicThinFilmand ofElectronicScienceand ofChina (stmKeyI丑b憎atofy htcgraaxlDt；vio％University TechnologyChengdu610054) An thin-filmbulkacoustic Abstract circuitmodelfor mounted equivalenI Ba￡SrIJi03(BST)solidly modeldescribesthe relative resonators(TFBARs)isproposed．The relationshipamong electromechanieal modeliS intheADSsimulation velocity“)。and COCfficient(砰)．The coupling implemented resonatorsFBARag