高温离子注入靶盘设计简介.pdfVIP

电 子 工 业 专 用 设 备 EPE E Equipment for Electronic Products Manufacturing 高温离子注入靶盘设计简介 颜秀文 贾京英 刘咸成 王慧勇 ( 中国电子科技集团公司第四十八研究所) 前言： [1] 离子注入是半导体制造中的常用工艺，是器件有源层制备的主要手段之一 。在碳化硅注入掺 杂、离子注入 SOI 材料（SIMOX）等工艺中，对离子注入有着高温注入技术的特殊要求。碳化硅 掺杂，由于碳化硅材料本身的高密度和低杂质扩散系数，无法采用体硅工艺中成熟的扩散工艺，而 常温离子注入又存在杂质激活率低、注入缺陷无法恢复等问题。以 Al+注入掺杂为例：注入的 Al+ 经1600℃退火后，激活率只有4 ％，远不能满足碳化硅器件工艺要求。切实可行的方法是在500℃～ 800℃下进行高温离子注入[2] 。在SIMOX SOI 材料制备工艺中，要求在500℃～650℃高温条件下进 行大剂量注入形成一定厚度的二氧化硅层，是控制注入缺陷、保证二氧化硅埋层厚度均匀的关键因 素[3] 。可见，无论是碳化硅材料掺杂还是SIMOX SOI 材料制备，高温离子注入靶技术已成为制约 碳化硅和SIMOX SOI 材料发展的最核心技术之一。国外也只有美国IBIS 、日本Hitachi 和日本Ulvac 等少数几家公司掌握了高温靶室技术。美国IBIS 公司先后推出了IBIS-i1000 、IBIS-i2000 产品[4] [5] ， 日本HITACHI 已开发出UI-5000 、UI-6000 型高温旋转扫描靶[6] ，日本Ulvac 已投产碳化硅高温离 子注入设备IH-860DSIC[7] [8~10] 。国内只有中国电子科技集团公司第四十八研究所进行跟踪研究 。 高温离子注入机靶室研究的最终目的是实现单个晶片、每批晶片和批与批晶片之间的均匀注 入，主要技术难点在于真空下500℃～600℃高温靶室的实现及晶片表面温度均匀性控制。注入环境 -4 为 10 以上的高真空，注入温度要求500℃以上。因此设计高温靶室时，热源的选用、高温区的材 料选取、热量的传递方式、热屏蔽设计、离子束溅射污染的防范、发热体的挥发污染、运动部件热 变形问题都是要考虑的因素。实践证明，在离子注入机腔体的真空环境下加热衬底相当困难，许多 材料和部件在高温下寿命很短，可靠性没法保障。除材料因素外，靶盘设计、加热装置设计和热场 均匀性分析是急需解决的主要问题。本文以高温离子注入靶室为研究对象，通过靶盘设计、加热装 置设计和热场均匀性分析等研究，提出靶室设计的措施与解决方案，为碳化硅高温离子注入靶室研 制打下技术基础。 一、高温靶盘设计 靶盘由晶片爪、支撑杆、靶盘旋转电机、晶片爪驱动电 机、水冷结构等组成。处在受热面、高温端的零部件全部采 用高纯Si （硅）和高纯Mo （钼）材料制作而成。处在背热面、 驱动区域的部件采用水冷结构。靶盘旋转电机在 XY 二维平 面内旋转扫描保证批次内晶片的注入均匀性。靶盘在 XY 的 平面作变速摆动，保证每个晶片片内的注入均匀性。 晶片爪由A 、B 、C 三点以夹卡方式固定晶片，晶片取放 采用三根晶片顶杆的上下移动进行装卸片操作。A 、B 、C 三 图1 高温靶盘结构示意图 Fig.1 Schematic Diagram for High 点由高纯硅材料做成硅销，尽可能减少与晶片的接触面积，尽 Temperature Target