集成电路的电浪涌损伤.docVIP

集成电路的电浪涌损伤 半导体器件在使用过程中最常见的失效模式之一就是电浪涌引起的电过应力（EOS）损伤或烧毁。 电浪涌（即电瞬变）指的是一种随机的短时间的电压或电流冲击，它是在机器装调和使用过程中常出现的问题。电浪涌虽然平均功率很小，但瞬时功率却非常之大，因此，对半导体器件的破坏性很大，轻则引起逻辑电路出现错误或引起PN结内部的局部损伤，重则使PN结严重损坏，甚至铝金属也烧融飞溅。 电浪涌的产生与防范措施： 高压放电产生的浪涌电压 集成电路或晶体管与阴极射线管装在同一个设备里使用时，如果靠近高压电路，就会受到高压放电所产生的浪涌电压的影响。 线路中的高压放电将在附近信号线中感生电浪涌，有效的削弱方法是：在半导体器件输入端或输出端增加RC电路来吸收电浪涌。在不影响工作的情况下，RC时间常数应规定在能充分吸收浪涌脉冲的范围内。 高频电路中的晶体管的基极，由于该端不能采用电容接地，但也可在基极串联适当电阻来削弱电浪涌信号的影响。 电源上的浪涌电压 因为电源线有电感和电阻，它使输出级电源电流在电源线上产生压降，将以电源 线的引线电感作为公共通路而被反馈到初级并引起寄生振荡。这种效应在线性电路中 比较敏感，为了使线性电路工作稳定，对普通放大器的电源端每组加一只并联电容加 以旁路；视频放大器等宽带放大器要在每只电路的电源端加电容；在高频下工作时， 只加电解电容是不够的，还必须并联聚酯树脂电容器或钽电容器。 静电放电损伤 为了防止静电损伤，在MOS集成电路输入端增加栅保护电路，防止栅氧化物被 静电击穿。 静电损伤不仅对MOS电路危害甚大，而且对双极LSI、存储器和线性电路的损伤 也十分突出，由于双极LSI和存储器为了实现高速度，多采用浅结工艺，而且没有采 用保护电路来防止静电损伤，因此，对静电损伤也十分敏感。 电磁脉冲辐射引起的电浪涌 在周围环境有强烈的电磁辐射时，如果设备的连线屏蔽不良，在导线内就会出现 很强的电浪涌。处在有电磁脉冲的特殊环境，设备的输入端和输出端均应加箝位二极 管保护电路。同时机壳和外接连线都要采取严格的屏蔽措施。 电烙铁漏电 电烙铁漏电并且接地不良，对MOS电路输入端和双极单稳电路及振荡器等电路 的外接元件端所造成的损坏特别严重。如果只是将烙铁体接地，烙铁头长期使用后因 氧化严重易引起烙铁头接地不良，同样会造成集成电路的损伤。采取的措施有： 将烙铁头和烙铁体同时接地，接地电阻要低，保证接地良好。 使用低压电烙铁（24V～32V）焊接。 在焊接的瞬间将电烙铁断电。在系统上更换电路或器件时，最好采用此法。 电子设备的机壳带电 当半导体器件或电路的管脚与机壳相碰时，就会在器件内部产生一次电浪涌。因 此，要保证机壳接地良好。 动力系统上的大功率负载 动力系统上有大功率负载时，在大功率负载接通和关断瞬间，在电源线和地线内就会出现电浪涌。这种电浪涌可能通过前级输出电路藕合到输入端。高的瞬变电压轻则破坏电路的正常工作，重则使输入管受到损坏。可采用“低通滤波电路”将电源系统产生的电浪涌滤去。 电感负载 在使用电感作为负载的的电路中，开关瞬间在负载上将产生电浪涌。这种“下冲”电浪涌随电感值增大而增加。解决的方法实在电感负载的两端并联箝位二极管或二极管与电阻串联支路。 发光器件 用晶体管或集成电路驱动发光器件时，在发光器件发光的一瞬间将有较大的电流浪涌出现。应采取限流措施。 10〕CMOS电路发生闩锁效应 11〕处于电气设备接口部位的半导体器件，要特别注意防止电浪涌。