具有全方位反射镜的高亮度AlGaInP发光二极管.pdfVIP

LED苍片设计、_造疆I艺技术 doi：lO．3969／j．i啪．1003—353x．2010．也．019 具有全方位反射镜的高亮度AIGaInP发光二极管 黄尊祥，杨凯，李涛，彭绍文，刘建鏊，王向武 (厦门乾照光电股份有限公司技术中心，福建厦门361101) 摘要：一种新的全方位反射镜(ODR)的高亮度舭蹦nP发光二极管制作方法。该反射镜由 介质膜DBR和高反射率的金属组成，反射效率比传统的金属反射镜和DBR高，制作成本比透明 基板低。首先利用MOCvD在GaAs衬底上生长mGaInPLED材料，接着将全方位反射镜蒸镀在 LED外延片上，利用金属键舍将LED外延片和Si基板键合在一起，然后用机械研磨和湿法腐蚀 的方式去除吸光的GaAs衬底，最后制作欧姆接触焊盘和出光界面的粗化。该方法制作的峰值波 IIm)20mA电流下发光效率达80lm／W，正向电压小于2V。 长为630咖芯片(350肛m×350 关键词：高亮度；AlGaInP；发光二极管；介质膜DBR；全方位反射镜 中图分类号：TN248．4文献标识码：A Diod髑、衍tho删畸-Ⅸr佻ti仰al 碰glIB—ghtne鲻AlGaI】【lPLight-Emitting Reaector sh跗们n，Ku HuangZull】【i锄g，Y加gKai，“rI舯，Peng Jianj岫，W卸g)【i蚰g唧 co．，倒．，翩36l101，傀讹) (孙炯咖yce腑矿腑n秭昭蚴I AlGaInP diodewimoI衄i·directional A蛔呐Ict：A reflecb叫(0DR)w酗 higIl嘶ght黼sligllt-enlining 脚试c砒ed ODR diel∞tricDBR锄d c柚refI优ttIIe incorl)omting by肿vel眦Ithod．-11le lligll一栅ecting眦tal emitted tII肌tIIec∞ve蛳呻al删她Ireflector锄d ita180 li曲t钿mthe舵ti、，e他gi∞咖∞胡tiVely DBR，柚d o醌鸺a mGaIIlPLED GaAs priceadv觚ta萨oyerrIStechniq∞．1he stmctu嘲we坤gro帆伽tllesud袖咖by MOCVD LEDw也r．1heLED8trII咖坤脚洲edtoSi fi削y．Following，‰ODR懈de叫砌∞the 酬Lbst豫te t量leGaAs吼Ibstmtewa8珊啪ved cheInical ugingmetal—bonding．11Ien bymechaIlical叫i8hing锄d wet ohlniccontact padw鹊subseqIlenUydeposited帆tlledevice．Finally，the鲫d砬e etchiIlg．．11le bonding 80