离子注入区熔单晶硅双极器件地研究.pdfVIP

2003年lO月 第十二届全国电子束、离子束、光子束学术会 北京 离子注入区熔单晶硅双极器件的研究 韩德俊、张秀荣、田晓娜、盛丽艳、杨茹、李国辉 (北京师范大学低能核物理研究所100875) 摘要：区熔单晶硅与直拉单晶硅以及其他半导体材料相比杂质含量少，纯度和电阻率高，长期以 来主要用于核探测器的研究与生产中。由于区熔单晶硅纯度高、少子寿命长，我们的研究发现用 它特别适合制作工作于极低基极电流下的高增益双极晶体管和探测微弱信号的高灵敏度双极探测 器(例如X光双极探测器和光电晶体管)。采用区熔单晶硅制作、发射极直径为2mm的双极晶体 管，在lO皮安极低的基极电流下，双极晶体管的增益高达3300；同一器件用作x光探测器时， 对1毫居能量为22keV的cd x光放射源测量响应，得到了3820倍的高增益；同一器件用作近 u 红外光探测器时，在0．83m波长的入射光照射下，光功率低至45pW时，光晶体管的增益仍然 高达3660。 关键词：区熔单晶硅；双极器件；增益；少子寿命 硅双极器件，例如双极晶体管和光电晶体管往往是由直拉(cz)单晶硅材料来制备。在这 些器件中，少数载流子的注入、输运与复合过程对器件的工作和性能有重大影响。双极晶体管在 集电极电流较小时(例如小于0．iX)，由于发射结耗尽区中的复合中心产生的复合电流会在总发 射极电流中占较大比例，双极晶体管的电流增益会随集电极(或基极)电流的减小而迅速减小 …。常规的双极晶体管工作时的基极电流一般都在～nA以上“’“。基极电流越大，导致双极晶 体管的散粒噪声越大”1．这不利于用双极晶体管作为前级输入端的运算放大器的工作“1。与双极 晶体管相类似，光电晶体管的光电转换增益随入射光功率的下降而降低“3，这对探测微弱光信 号极为不利。虽然硅是间接带隙的半导体材料，与锗和其他IⅡ一V族半导体材料相比，少子的复 合速率较低。但很多杂质，特别是重金属杂质会在硅禁带中间形成深能级，从而导致少子复合速 度加快。事实上，少子寿命反比于产生复合中心的浓度。杂质浓度高，少子寿命短…。因此，减 少硅中的产生复合中心(或去除硅中的杂质和缺陷)是提高双极器件小信号增益特性的有效途 径。 区熔法是仅次于直拉法的第二主要生长单晶硅的方法。区熔单晶硅的生长不需要坩埚，在制 各过程中硅单晶除了与保护气体接触外不与其它任何材料直接接触，因此区熔单晶硅比直拉单晶 硅有更高的纯度(后者由于在生长过程中硅单晶与坩埚直接接触，坩埚中的氧、碳、硼和其他金 属杂质容易扩散进入硅单晶中)”1。所以我们认为区熔单晶硅更适宜于制作对小信号增益特性要 -337． 2003年10月 第十二届全国电子束、离子束、光子束学术会 北京 求较高的双极器件。 图1是在研究中所用的发射极直径为2m,n的光晶体管的结构示意图。器件的原始材料是直径 100mm，280 um厚，111晶向的n型高纯区熔单晶硅，电阻率约是6kQ·c[n。在同一硅片上还 制作了测试二极管(如Pi—n二极管，门二极管等)以监测制作工艺过程。器件在意大利IRST 制作完成，详细工艺可参考文献[6]。发射极设计为n+／n结构是为了减薄基区厚度以获得较高的 灵敏度。首先进行基区B注入，注入的能量400KEY、剂量1×10“em2，然后热扩散，形成p— u 层；集电区是～280m厚的衬底硅；硅片背面有～】．2Lun厚的掺磷多晶硅，作为外吸杂层。 双极晶体管的直流I．v特性及其电流增益与基极电流、发射一集电极偏压的关系分别由图2 和图3所示。实验结果显示，在10皮安极低的基极电流下，双极晶体管的增益高达3300。 I de Si n．FZ n+．Polv