Cu-%2cx-(Al-%2c2-O-%2c3-)-%2c1-x-颗粒膜的巨霍耳效应探究.pdfVIP

第十一届全国磁学和磁性材料会议论文集 Cu。(A I。0。)，。颗粒膜的巨霍耳效应研究车 高俊蒋晓龙倪刚王飞王志明任尚坤张凤鸣都有为 南京大学固体微结构实验室南京210093 摘要本文研究了cu。(At：o，)。一。颗粒系统的霍耳效应，发现在渗流阐值时，霍耳电阻比正常金属 高3个鼓量级．进一步证明巨霍耳效应是金属一绝缘体颗粒构成的渗流系统的共性． 1．前言 霍耳效应是个重要而有趣的物理问题，由于霍耳效应提供了载流子的类型、浓度等关键信息， 因而在电子输运行为等基础研究中成为有力的工具。利用半导体元件霍耳效应大，线性度好的优点， 在磁传感器中霍耳元件有着广泛的应用。正常金属由于载流子浓度远大于半导体，霍耳效应较小。但 在铁磁金属中存在与磁化强度M相关的比正常金属霍耳系数大两个数量级的反常项，称为反常霍耳效 膜中发现隧道结磁电阻(TMR)[·”，它与块体材料绝然迥异的性质，加之制备工艺要求不高，引起了人 高达200心)cm的饱和霍耳电阻率，这比普通非磁金属的正常霍耳效应高106倍，也比磁性金属中 粒膜中也已被观察到H·“。鉴于在金属一绝缘体颗粒膜中霍尔效应具有较高灵敏度，且具有较高温度 的稳定性(200C)和较大范围内的线性‘”，它有着良好的实用前景而引起人们的重视。随后在非磁 金属一绝缘体的cu—Si02系统中也发现了巨霍耳效应，理论上认为是由介观尺度的量子干涉效应引起 的n】。为了进一步认识巨霍耳效应的来源．本文研究了Cu-Al：0。系统的霍耳效应，并观察到渗流阈值 下的巨霍耳效应。 2．实验 采用L-3型多靶离子束溅射镀膜机用共溅射的方法在玻璃基片上制备了一系列厚度大约150nm， V。溅射束流18lllA，工作气体为2×10。Pa的氩 不同体积配比的Cu—A1203颗粒膜。加速电压为450 气，背景真空1×10～Pa。样品厚度由a台阶仪测定。样品成分由x射线能量色散谱仪(EDX)确定， 然后计算出体积百分比。霍耳电阻采用标准的四点法测量，电流由KEITHLEY恒流源提供，电压由 T--1．2 KEITHLEY纳伏表测量，所用磁场为一1．2T，导线与样品之间用铟连接，采用不同的补偿方法 测量雀耳电压以保证数据的可靠性。 3．结果与讨论 在金属一绝缘颗粒膜系统中，如果把载流子(如电子)看成经典粒子，那么金属体积百分比却 存在一勘，当x，’印时，金属颗粒相互连通形成网络状结构，导电性质为金属性；当却xc时，金 0(4)) ‘本课题得到国家重点基础研究发晨规划项目(G1999064508)，国索自然科学基金委员会t大项目(1989031 和国家自然科学基叠委员会面上项目的资助． 116 第十一篇全圆磁学和磁性材料会议论文集 ————————，—————————————————————————¨—H————m———————_———————————P——m^—————Ⅲ————————————一 属颗粒问相甄隔离，不再形成网络状结构，导电性质为绝缘性。但是考虑载流子的量子特性一波动性， 存在另一体积百分眈％x，(辩1维和2维系统，■；1)，■为量予迁移率逸。髓着枷趋近托，金属 Wan彝PingSheng透过数僮计算 有美)，载流孑波通数鳃干涉交褥明显，量子效残显琨。Chuncheng 表明当x，_Xc时，由于量子相于效应，在垂直电流方向，载流子潞正囱散射和负向数射的几搴几乎 相等，乎均结果就是糕尔效应的极大增强【7I。 如图1所示为霍耳电阻与成分的函数关系，可以看出，随着金满体积比由cu的90％减小到60 ％，霍砰电E旺有蓿明照的增加，增加的幅度eE经媳渗流理论预测值大很多。说明必须考虑由介观尺寸 引麓的鬣子效应的影响。在非磁金属中蕊测到巨霍耳效应表明该效应不是磁性颗粒系统的特有属性， 嚣是金属一绝缘体颗歉援成翘渗滚系统静共性。