调制掺杂GaN%2fAlGaN%2fGaN异质结构的光荧光谱的研究.pdfVIP

I GaN／GaN异质结构的光荧光谱研究 调制掺杂GaN／A 朱建军刘素英史永生赵德刚杨辉梁骏吾 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室，北京912信箱100083 摘簧：本文研究了调制掺杂GaN／AIGaN／GaN异质结构的光荧光(PL)谱，发现了两个与二维电子气 (2DEG)相关的发光蜂H。和H．。它们对应于两个不同子能级2DEG电子与光生空穴之问的复合发光。 当在同一样品的不同位置进行测量时。Ho和Hl之间能量差在75meV和108meV之间变化，其平均值 为95meV。随着温度的升商，H。峰有微弱的红移，而Ho峰却有轻微的蓝移：当温度从10K上升到 70K时．Ho和HI之同能量差(△E)在减小了约3meV。 关键词：调制掺杂、=维电子气《至至自i殛、GaNr光荧，l；(PL≥ 1．引言 A|GaN／GaN界面处的能带结构对二维电子气的电学和光学特性有很大的影响，许 多研究小组对此已经进行了广泛的研究l。“。因为AIGaN和GaN之间的导带偏移很大， 并且A1GaN势垒层具有很强的压电极化，AIGaN／GaN异质结构中的二维电子气的辐射 复合发光在高达80K的温度F都可以观察到[6】。当二维电子气的面密度达到7．2x1012cm‘2 8小，GaN异质界面处的三角势阱中的 时，在AIo22Gao GaN caplayer 二维电子气会开始占据除基态之外的第一个激发态两 13．5nmAlGaN AIGaN Si-doped 个子能级，这时这两个子能级之间的能量间隔为 15nmAlGaN 3Gao7N／GaN的PL 75meVH。Bergman等人在研究AIo 5umUID-GaN 谱时曾经观察到一个能量低于GaN自由激子峰(FE) 50meV的发光峰，他们把这个很宽的峰归因于异质界 substrate Sapphire 面处二维电子气与光激发产生的空穴之间的辐射复合 发光。另外他们还观察到了～个来源于处于第一个激 发能级上的二维电子气的发光峰。T．Wang等人”1也 图一GaN／AIo16Ga0¨N／GaN样品结 在重掺杂AIGaN／GaN异质结构的光荧光谱中观察到 KiKwon 了两个与分别处丁．基态和第一激发态上的二维电子气相关的发光峰，同时Ho 等人也有类似的报道。但是，上述的结果相互之间并不一致。 本文利用光荧光进一步研究了GaN／A|o】6GaouN／GaN的光学性质性质。 ·440· 2．实验 ‘ 本文所用的样品是在低压金属有机气相化学沉积(MOCVD)系统上生长的。在 (0001)蓝宝石村底上先在550。C生长一层GaN缓冲层，然后外延生长了一层5pm本 84N，隔 征GaN，生长温度是1080。C。在GaN层上又生长了一层调制掺杂的Ai016Gao 离层和掺杂层的厚度分别为15nm和3nm。摄后生长了一层70nm后的GaN(如图一所 示)。光荧光测量所用的激发光源为He—Cd激光器。 3．结果与讨论 图二中，(a)是在10K温度下在同一样 品不同位置上测得的PL谱，(b)是不同俺